装置构成
1、GIS罐体：2个独立气室，全真模拟GIS母线、壳体及盆式绝缘子。
2、无局放电源：工频升压装置，自身局放量不超过0.5PC。
3、放电模型：内置放电、气隙放电、悬浮放电、颗粒放电及盆式绝缘子沿面放电共5种模型，可模拟GIS内部前述5种单一缺陷和不同组合缺陷。
4、耦合电容：支持脉冲电流法检测，满足GB/T 7354及IEC 60270要求。
5、内置特高频传感器：支持特高频法局部放电带电检测，频率范围0.3-2GHZ。
6、内置摄像头：可实时观察罐体内部放电模型动作情况。
7、根据实际需要，可增配示波器或频谱分析仪等。
8、其他：盆式绝缘子浇筑口处支持外置特高频传感器局放检测。
内置仿真的放电类型：
本装置根据GIS主要典型绝缘缺陷研制多种仿真放电模块：电晕放电、气隙放电、悬浮放电、颗粒放电及盆式绝缘子沿面放电等各种性质的放电现场。
1、电晕放电
导体和外壳内表面上的金属突起，以及固体绝缘表面上的微粒。金属突起通常是在制造不良和安装损坏擦划时造成的，导致毛刺且较尖。在稳定的工频状态下不引起击穿，但在快速电压如冲击、快速暂态过电压条件下很危险，易发生绝缘事故。
2、金属颗粒放电
金属微粒是的微粒，在制造、装配和运行中均有可能产生，它有积累电荷的能力。在交流电压场的影响下能够移动，在很大程度上运动与放电的可能性是随机的。当靠近高压导体且并未接触时，放电最可能发生，且放电可能性比同样微粒但为固定物时高10倍左右。
3、悬浮放电
例如静电屏蔽和其它浮动部件。由松动或浮动部件产生的放电可能性很大，通常易于检测，放电趋向于反复，其放电电荷在nC到gC间转变。
4、气隙放电
绝缘子制造时造成的内部空隙和实验闪络引起的表面痕迹，还包括或是因电极的表面粗糙或是来自制造时嵌入的金属微粒。此外因环氧树脂与金属电极的收缩系数不同，也会形成气泡或空隙。这些GIS的绝缘缺陷类型极有可能会在GIS中产生局部放电，在绝缘体中的局部放电甚至会腐蚀绝缘材料，进一步发展成为树枝，并最后导致绝缘击穿。
5、盆式绝缘子沿面放电
当GIS长期运行中在盆式绝缘子的表面难免会沉积一些尘埃，会改变盆式绝缘子的电场分布，从而在物体表面产生爬电(污闪)现象；而长时间的污闪会加速盆式绝缘子的老化。
序号 | 项目 | 技术参数 |
1 | 额定电压 | 160kV（可根据需求定制各个电压等级） |
2 | 额定频率 | 50Hz |
3 | 耦合电容器 | 容量：50pF |
4 | 分压器变比 | 分压比：1000/1 |
5 | 装置局放量 | 在额定电压下自身放电量：≤0.5pC |
6 | 电脉冲局放检测 | 带宽：10-1000 kHz，灵敏度：0.1pC 检测通道：2 |
7 | 特高频局放检测 | 300-2000MHz，灵敏度：1pC |
8 | 超声波检测 | 0-400kHz，灵敏度：10pC |
9 | 相 数 | 单相 |
10 | 绝缘介质 | SF6气体 |
11 | 气体压力、年泄露率 | ≤0.35MPa、≤1% |
12 | 视频电源 | 12VDC |
13 | 工作环境 | 温度：－15℃～＋55℃；湿度：≤95%，无凝露 |
14 | 设备尺寸(cm) | 210（长）x65（宽）x125（高）（160kV的） |
