可控硅检测试分析  **  华则检测第三方实验室CNAS/CMA

“华则检测”专业的第三方检测机构

可控硅检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA：“华则检测”专业的第三方检测机构。具有CNAS和CMA认证资质，拥有多个设备、专业人员、制度规范的大型综合“第三方公正检测实验单位”，对外提供检测测试和验证等服务。

可控硅检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA：“华则检测”主要业务包含功率器件参数检测、半导体可靠性检测、半导体环境老化试验分析、应用级系统分析、半导体失效分析、车用分立器件可靠性测试认证、车用功率模块可靠性测试认证、力学实验、气候环境实验等领域，

可控硅检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA可控硅检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA

服务目录

可控硅检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA

一、失效分析测试·可控硅检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA

(1) 检测项目：开短路检测 4

(2) 检测项目：漏电检测 4

(3) 检测项目：产品外观或形貌确认 4

(4) 检测项目：尺寸测量 4

(5) 检测项目：超声波检测(SAT) 4

(6) 检测项目：X-ray检测 5

(7) 检测项目：推拉力检测 5

(8) 检测项目：有害物质检测 5

(9) 检测项目：剖面分析 5

(10) 检测项目：样品开封 5

二、电学检测 ·可控硅检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA

(1) 检测项目：直流参数 6

(2) 检测项目：雪崩能量 6

(3) 检测项目∶栅极电阻 6

(4) 检测项目：开关时间（器件级） 6

(5) 检测项目：开关时间（模块级） 6

(6) 检测项目：反向恢复（模块级） 6

(7) 检测项目：反向恢复（器件级） 6

(8) 检测项目：栅极电荷（模块级） 7

(9) 检测项目：栅极电荷（器件级） 7

(10) 检测项目：短路耐量能力（模块级） 7

(11) 检测项目：短路耐量能力（器件级） 7

(12) 检测项目：结电容 7

(13) 检测项目：热阻性能（器件级） 7

(14) 检测项目：热阻性能（模块级） 7

(15) 检测项目：参数曲线扫描 8

(16) 检测项目：ESD能力 8

(17) 检测项目：正向浪涌能力 8

三、应用系统检测 ·可控硅检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA

(1) 检测项目：电气参数 9

(2) 检测项目：保护功能测试 9

(3) 检测项目：元器件应力测试 9

(4) 检测项目：电气/抗电强度测试 9

(5) 检测项目：绝缘电阻测试 10

(6) 检测项目：接地电阻测试 10

(7) 检测项目：低温测试 10

(8) 检测项目：高温测试 10

(9) 检测项目：高加速寿命/应力测试 10

(10) 检测项目：静电放电抗扰度测试 10

(11) 检测项目：雷击浪涌抗扰度测试 10

(12) 检测项目：电源端子骚扰电压/传导测试 11

四、可靠性测试 ·可控硅检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA

(1) 检测项目：功率循环龌 (PC) 12

(2) 检测项目：高温门极试验(HTGB) 12

(3) 检测项目：低温工作寿命试验(LTOL) 12

(4) 检测项目：低温储存试验(LTSL) 12

(5) 检测项目：高低温循环试验(TC) 12

(6) 检测项目：稳态功率试验(SSOL) 12

(7) 检测项目：无偏压的高加速应力试验(UHAST) 13

(8) 检测项目：预处理试验(Pre-con) 13

(9) 检测项目：高温反偏试验(HTRB) 13

(10) 检测项目：高温工作寿命试验(HTOL) 13

(11) 检测项目：高温储存试验(HTSL) 13

(12) 检测项目：高温高湿试验(THB) 13

(13) 检测项目：间歇寿命试验(IOL)功率循试验(PC) 13

(14) 检测项目：高加速应力试验(HAST) 14

(15) 检测项目：高温蒸煮试验(PCT) 14

(16) 检测项目：潮气敏感度等级试验(MSL) 14

(17) 检测项目：可焊性试验(Solderability) 14

一、失效分析测试·可控硅检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA

(1) 检测项目：开短路检测

Ø 覆盖产品：IC

Ø 检测能力：满足128pin及以下引脚IC的open/short测试、曲线跟踪分析、漏电流测试；Max电压7V，电压精度1mV，Max电流 500mA，电礪度 10nA；

Ø 执行标准：客户要求

(2) 检测项目：漏电检测

Ø 覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品

Ø 检测能力：具有EMMI (微光)和TIVA (激光诱导)两种侦测方 式；加电方式A：电压20mV-200V，电流10nA-1A，电流精度 10fA；加电方式B：Max电压3000V，Max电流5A。

Ø 执行标准：客户要求

(3) 检测项目：产品外观或形貌确认

Ø 覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品

Ø 检测能力：立体成像/Max45倍；金相成像/Max1000倍；数码成像/Max6000倍；

Ø 执行标准：客户要求

(4) 检测项目：尺寸测量

Ø 覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品

Ø 检测能力：立体成像/Max45倍；金相成像/Max1000倍；数码成像/Max6000倍；

Ø 执行标准：客户要求

(5) 检测项目：超声波检测(SAT)

Ø 覆盖产品∶ IC，分立器件，模块等产品

Ø 检测能力∶具有分层面积百分比计算，缺陷尺寸标识，厚度与距离测量等功能。可进行A-scan（点扫描）、B-scan（纵向扫描）、 C-scan（横向扫描）、Through-scan（透射扫描）。

Ø 执行标准∶GuoJun标

(6) 检测项目：X-ray检测

Ø 覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品

Ø 检测能力：High分辨率0.5um。具有空洞面积百分比计算，缺陷尺寸标识，厚度与距离测量等功能。可进行二维扫描、三维CT扫描。

Ø 执行标准：GuoJun标

(7) 检测项目：推拉力检测

Ø 覆盖产品∶ IC，分立器件，模块等产品

Ø 检测能力∶支持WP100和WP2.5KG二款拉力测试头，测试范围0- 2.5Kg;支持BS250、BS5KG和DS100KG三款推力测试头，测试范围0-100Kg，推刀接受面宽0-8891um。

Ø 执行标准∶ GuoJun标

(8) 检测项目：有害物质检测

Ø 覆盖产品∶IC，分立器件，模块等产品

Ø 检测能力∶ 支持铅（Pb）、镉（Cd）、汞（Hg）、六价铬（Cr6+）、多溴联苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE），以及卤素等其他化学元素的检测。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/BrMini检测限可达2ppm。

Ø 执行标准∶ IEC

(9) 检测项目：剖面分析

Ø 覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品

Ø 检测能力：金相样品制备、样品观察、样品染色。

Ø 执行标准：客户要求

(10) 检测项目：样品开封

Ø 覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品

Ø 检测能力：激光开封、化学开封、样品剥层。

Ø 执行标准：客户要求

二、电学检测·可控硅检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA

(1) 检测项目：直流参数

Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品；

Ø 检测能力：检测Max电压7500V检测Max电流6000A

Ø 执行标准：国标，IEC

(2) 检测项目：雪崩能量

Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件

Ø 检测能力：检测Max电压2500V检测Max电流200A

Ø 执行标准：美军标

(3) 检测项目∶栅极电阻

Ø 覆盖产品∶MOSFET、IGBT及第三代半导体器件

Ø 检测能力∶检测阻抗∶0.1Ω～50Ω

Ø 执行标准∶JEDEC

(4) 检测项目：开关时间（器件级）

Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件；

Ø 检测能力：Max电压1200V Max电流200A

Ø 执行标准：美军标，国标，IEC等

(5) 检测项目：开关时间（模块级）

Ø 覆盖产品：IGBT等模块产品

Ø 检测能力：检测Max电压2700V检测Max电流4000A

Ø 执行标准：国标，IEC

(6) 检测项目：反向恢复（模块级）

Ø 覆盖产品：IGBT等模块产品

Ø 检测能力：检测Max电压2700V检测Max电流4000A

Ø 执行标准：国标，IEC

(7) 检测项目：反向恢复（器件级）

Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件

Ø 检测能力：Max电压1200V Max电流200A

Ø 执行标准：美军标，国标，IEC等

(8) 检测项目：栅极电荷（模块级）

Ø 覆盖产品：IGBT等模块产品

Ø 检测能力：检测Max电压2700V检测Max电流4000A

Ø 执行标准：国标，IEC

(9) 检测项目：栅极电荷（器件级）

Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件

Ø 检测能力：Max电压1200V Max电流200A

Ø 执行标准：美军标，国标，IEC等

(10) 检测项目：短路耐量能力（模块级）

Ø 覆盖产品：IGBT等模块产品

Ø 检测能力：检测Max电压2700V，检测Max电流10000A

Ø 执行标准：国标，IEC

(11) 检测项目：短路耐量能力（器件级）

Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件

Ø 检测能力：检测Max电压1200V，检测Max电流1000A；

Ø 执行标准：美军标，国标，IEC等

(12) 检测项目：结电容

Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT及第三代半导体单管器件

Ø 检测能力：检测Max电压3000V

Ø 执行标准：IEC

(13) 检测项目：热阻性能（器件级）

Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体单管器件

Ø 检测能力：功率250W

Ø 执行标准：美军标，JEDEC

(14) 检测项目：热阻性能（模块级）

Ø 覆盖产品：IGBT等模块产品

Ø 检测能力：Max功率4000W

Ø 执行标准：美军标，JEDEC

(15) 检测项目：参数曲线扫描

Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件的l-V、C-V曲线

Ø 检测能力：检测Max电压3000V检测Max电流1500A温度-70°C~180°C

Ø 执行标准：美军标，IEC等

(16) 检测项目：ESD能力

Ø 覆盖产品：MOSFET、IGBT、IC等产品

Ø 检测能力：HBMMax电压8000V；MMMax电压800V

Ø 执行标准：美军标，ANSI，JEDEC等

(17) 检测项目：正向浪涌能力

Ø 覆盖产品：DIODE (Si/SiC)、整流桥；

Ø 检测能力：Max电流800A

Ø 执行标准：美军标，国标

三、应用系统检测·可控硅检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA

(1) 检测项目：电气参数

Ø 覆盖产品：开关电源(例如低压AC/DC电源，低压DC/DC电源，直流充电桩电源模块等)、电机控制板。

Ø 检测能力：低压AC/DC电源：单相Max输入电压/功率为 300V/3KVA；Max输出电压/功率：80V/1000W；低压DC/DC电 源：Max输入电压/功率为80V/1.2KW；Max输出电压/功率： 80V/1000W；直流充电桩电源模块：三相Max输入电压/功率为 500V/30KVA；Max输出电压/功率：700V/30KW；电机控制板： 直流输入电压/功率100V/5KW

Ø 执行标准：国标，IEC，客户要求等

(2) 检测项目：保护功能测试

Ø 覆盖产品：开关电源(例如低压AC/DC电源，低压DC/DC电源，直流充电桩电源模块等)、电机控制板。

Ø 检测能力：低压AC/DC电源：单相Max输入电压/功率为 300V/3KVA；Max输出电压/功率：80V/1000W；低压DC/DC电 源：Max输入电压/功率为80V/1.2KW；Max输出电压/功率： 80V/1000W；直流充电桩电源模块：三相Max输入电压/功率为 500V/30KVA；Max输出电压/功率：700V/30KW；电机控制板： 直流输入电压/功率100V/5KW

Ø 执行标准：国标，IEC，客户要求等

(3) 检测项目：元器件应力测试

Ø 覆盖产品：开关电源(例如低压AC/DC电源，低压DC/DC电源，直流充电桩电源模块等)、电机控制板、锂电保护板。

Ø 检测能力：Max峰值电压：1.5KV；Max有效值/峰值电流：30A/50A；High温度：260°C

Ø 执行标准：元器件规格，客户要求等

(4) 检测项目：电气/抗电强度测试

Ø 覆盖产品：电子电气产品

Ø 检测能力：交流耐压范围：(0~5)KV/40mA；直流耐压范围：(0~6)KV/9999uA

Ø 执行标准：国标，IEC，客户要求等

(5) 检测项目：绝缘电阻测试

Ø 覆盖产品：电子电气产品

Ø 检测能力：(100~1K)Vdc/9999mΩ

Ø 执行标准：国标，IEC，客户要求等

(6) 检测项目：接地电阻测试

Ø 覆盖产品：电子电气产品

Ø 检测能力：30A/600mΩ

Ø 执行标准：国标，IEC，客户要求等

(7) 检测项目：低温测试

Ø 覆盖产品：电子电气产品

Ø 检测能力：Mini温度：-70℃

Ø 执行标准：国标，IEC，客户要求等

(8) 检测项目：高温测试

Ø 覆盖产品：电子电气产品

Ø 检测能力：High温度：~180℃

Ø 执行标准：国标，IEC，客户要求等

(9) 检测项目：高加速寿命/应力测试

Ø 覆盖产品∶电子电气产品

Ø 检测能力∶温度范围∶（-100～+200）℃℃;温度上升速率∶平均（70°～100°）C/m; 加速∶（5-60）gRMS （空台）

Ø 执行标准∶国标，IEC，客户要求等

(10) 检测项目：静电放电抗扰度测试

Ø 覆盖产品∶电子电气产品

Ø 检测能力∶接触静电放电电压范围∶（±2～±8）KV空气静电放电电压范围∶（±2～±25）KV

Ø 执行标准∶国标，IEC，客户要求等

(11) 检测项目：雷击浪涌抗扰度测试

Ø 覆盖产品∶电子电气产品

Ø 检测能力∶1.2/50us综合波的开路电压范围∶（0.25～10）KV; 10/700us通讯波的开路电压范围∶（0～6）KV;输出阻抗∶ 1.2/50us综合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通讯波15Ω和40Ω

Ø 执行标准∶国标，IEC，客户要求等；

(12) 检测项目：电源端子骚扰电压/传导测试

Ø 覆盖产品：电子电气产品

Ø 检测能力：9KHz~ 30MHz

Ø 执行标准：国标，IEC，客户要求等

四、可靠性测试·可控硅检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA

(1) 检测项目：功率循环龌 (PC)

Ø 覆盖产品∶IGBT模块

Ø 检测能力∶△Tj=100℃电压电流Max1800A，12V

Ø 执行标准∶ IEC 客户自定义

(2) 检测项目：高温门极试验(HTGB)

Ø 覆盖产品∶MOSFET、SiC MOS等单管器件

Ø 检测能力∶温度High150℃;电压High2000V

Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等

(3) 检测项目：低温工作寿命试验(LTOL)

Ø 覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件

Ø 检测能力∶温度Mini-80℃ 电压High2000V

Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等

(4) 检测项目：低温储存试验(LTSL)

Ø 覆盖产品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

Ø 检测能力∶温度Mini-80℃

Ø 执行标准∶ 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等

(5) 检测项目：高低温循环试验(TC)

Ø 覆盖产品∶MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

Ø 检测能力∶温度范围∶-80℃~220℃

Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等

(6) 检测项目：稳态功率试验(SSOL)

Ø 覆盖产品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件

Ø 检测能力∶△Tj≥100℃，电压电流Max48V，10A

Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等

(7) 检测项目：无偏压的高加速应力试验(UHAST)

Ø 覆盖产品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品

Ø 检测能力∶温度130℃ 湿度85%

Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等

(8) 检测项目：预处理试验(Pre-con)

Ø 覆盖产品∶所有SMD类型器件

Ø 检测能力∶设备满足各个等级的试验要求

Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等

(9) 检测项目：高温反偏试验(HTRB)

Ø 覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件

Ø 检测能力∶温度High150℃; 电压High2000V

Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等

(10) 检测项目：高温工作寿命试验(HTOL)

Ø 覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件

Ø 检测能力∶温度High150℃，电压High2000V

Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等

(11) 检测项目：高温储存试验(HTSL)

Ø 覆盖产品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

Ø 检测能力∶温度High150℃;

Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等

(12) 检测项目：高温高湿试验(THB)

Ø 覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

Ø 检测能力∶温度High180℃ 湿度范围∶10%~98%

Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等

(13) 检测项目：间歇寿命试验(IOL)功率循试验(PC)

Ø 覆盖产品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件

Ø 检测能力∶△Tj≥100℃ 电压电流Max48V，10A

Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等

(14) 检测项目：高加速应力试验(HAST)

Ø 覆盖产品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品

Ø 检测能力∶ 温度130℃/110℃ 湿度85%

Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等

(15) 检测项目：高温蒸煮试验(PCT)

Ø 覆盖产品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品

Ø 检测能力∶温度121℃ 湿度1

Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等

(16) 检测项目：潮气敏感度等级试验(MSL)

Ø 覆盖产品∶所有SMD类型器件

Ø 检测能力∶设备满足各个等级的试验要求

Ø 执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等

(17) 检测项目：可焊性试验(Solderability)

Ø 覆盖产品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件

Ø 检测能力∶有铅、无铅均可进行

执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等

五、其它测试·可控硅检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA

可控硅检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA：“华则检测”专业的第三方检测机构。具有CNAS和CMA认证资质，拥有多个设备、专业人员、制度规范的大型综合“第三方公正检测实验单位”，对外提供检测测试和验证等服务。

可控硅检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA：“华则检测”主要业务包含功率器件参数检测、半导体可靠性检测、半导体环境老化试验分析、应用级系统分析、半导体失效分析、车用分立器件可靠性测试认证、车用功率模块可靠性测试认证、力学实验、气候环境实验等领域，