GaSe，ZnTe太赫兹晶体

碲化锌,硒化镓太赫兹晶体，应用于太赫兹光源与探测器

EKSMA Optics从1983年开始为各个科学实验室开发机械元件，根据客户给的图纸和制造规格，可提供定制光学和晶体组件服务，也有标准品库存快速现货交付。EKSMA Optics主要产品为激光器、激光系统和仪器的精密激光组件，为工业、医疗、美学、科学和国防市场的不同激光和光子应用领域的客户提供服务。

GaSe,ZnTe太赫兹晶体主要应用领域：

       - 太赫兹时域系统

- 太赫兹源晶体

- 中远红外气体探测

- CO2激光的SHG

- THZ实验光源

- 太赫兹成像

- 太赫兹发射器-检测器系统

EKSMA Optics目前有售用于产生太赫兹频段辐射的GaSe,ZnTe太赫兹晶体（硒化镓THz晶体，碲化锌THz晶体）。ZnTe和GaSe晶体 Eksma具有高损伤阈值，太赫兹ZnTe晶体和GaSe晶体可产生极短且高质量的太赫兹脉冲。

110晶向的太赫兹晶体ZnTe通过光学整流过程产生太赫兹。光学整流效应是一种二阶非线性效应。脉冲激光照射到非线性介质晶体，脉冲激光的各个单色分量之间会在样品中通过差频振荡现象产生一个随时间变化的电极化场，该电极化场将产生太赫兹。

还可利用110晶向的太赫兹晶体ZnTe基于自由空间电光技术实现对太赫兹脉冲的探测。在自由空间光电采样系统里太赫兹光束和线偏振光束在ZnTe太赫兹源内共线传播。太赫兹光束产生的电场会影响ZnTe太赫兹源晶体的复折射率，最终改变线偏振光，自由光电采样系统能检测和放大这种改变并转为更直观的强度变化来绘制太赫兹脉冲幅度。

读出完整电场（包括幅度和时延）的能力是太赫兹时域光谱的一大特色。太赫兹ZnTe晶体Eksma还能用于红外光学元件基板和真空沉积。ZnTe太赫兹晶体根据制作厚度的不同分为以下型号：ZnTe-100H，ZnTe-200H，ZnTe-500H，ZnTe-1000H，ZnTe-2000H，ZnTe-3000H。

注： ZnTe太赫兹晶体含有微气泡，它们在照明晶体的投影中可见。然而，这并不影响太赫兹的产生。我们不接受有关水晶中存在气泡的投诉。

使用GaSe晶体Eksma产生的太赫兹能达到41THz的大带宽。GaSe太赫兹源是负单轴层状半导体，拥有62m空间点群的六边形结构，300K时的带隙为2.2eV。GaSe太赫兹晶体有着高激光损伤阈值（可达3.7 J/cm2），很大的非线性光学系数（54pm/V），比较合适的透明范围(0.65-18μm)，和足够低的吸收系数（α＜0.01cm-1），使其成为宽带中红外电磁波产生的重要解决方案。由于使用20fs的飞秒激光源产生和检测宽带太赫兹，GaSe太赫兹源制作的太赫兹发射器-检测器系统性能被认为可以达到与使用太赫兹ZnTe晶体相当甚至更好的结果。使用合适厚度的太赫兹GaSe晶体可以实现对太赫兹波产生和探测系统的频率选择。太赫兹GaSe晶体根据制作厚度的不同分为以下型号：GaSe-10H1,GaSe-30H1,GaSe-100H1,GaSe-500H1,GaSe-1000H1,GaSe-2000H1。

注：由于GaSe太赫兹晶体的解理面为(001)，对该晶体使用有一个很大限制在于质软，易碎。

太赫兹晶体ZnTe,GaSe性能优势：

- 产生太赫兹能达到有非常宽的频域

- 抗损伤阈值高

- 非线性系数大

- 多种尺寸可选

- 客户导向的解决方案

- 接受客户定制服务

ZnTe晶体 Eksma规格参数：

GaSe晶体 Eksma规格参数：