晶体管正向偏置安全工作区测试系统ST-FBSOA_X
晶体管正向偏置安全工作区测试系统ST-FBSOA_X
基础信息
Si,SiC,GaN,材料的器件级和模块级的IGBT,MOS-FET的
FBSOA（正向偏置安全工作区）测试
FBSOA和对应的IV曲线
ICE电流0~1000A
VCE电压0~100V。
VGE驱动电压0~30V
VMNF热敏电压≤5V
Pmax功率100KW.
脉宽10us~10ms，
柜式结构，气动安全（支持手动式）工装柜，计算机程控
晶体管正向偏置安全工作区测试系统ST-FBSOA_X
FBSOA定义
Ø 该图是简版FBSOA曲线，划定了四条电压-电流关系的边界线，分别是AB段，BC段，CD段，DE段。
Ø AB段规定了处于饱和导通状态下IGBT的工作电流，这个电流与IGBT的门极驱动电压幅值相关，从图看出，IGBT 门极驱动电压幅值越高，饱和导通状态下的工作电流越大.
Ø BC段是IGBT可重复电流ICpuls，是4倍标称电流.
Ø CD段需结合IGBT瞬态热阻看。IGBT有线性区和饱和区。
Ø 跨AB段后，其IGBT处于线性区了，也就退出饱和导通区， IGBT损耗急剧上升。所以，这条边界体现IGBT能承受耗散功率Ptot。且CE电压越高，IGBT所能承电流脉冲幅值越低。另外，电流脉宽越大，IGBT所能承受电流幅值也越低。
Ø 蓝色CD段各种脉冲宽度下的SOA，均是单脉冲安全工作区，非连续工作情况下的工作区，所以，必须参考上一页的右下角的IGBT瞬态热阻曲线，由公式（1）计算出在VCE条件下允许的电流IC的幅值和脉宽。
Ø DE段规定了IGBT集射极CE击穿电压，IGBTCE击穿电压是和结温正相关，结温越低，CE击穿电压也越低。
晶体管正向偏置安全工作区测试系统ST-FBSOA_X
产品特点
u测试规范：国际标准IEC60747-9、IEC60747-2、国家标准GB/T29332、GB/T4023
u测试工装有“手动式”“气动式”“电子开关式”供选择，不同封装外观，更换“DUT适配器”即可
u高温测试，支持室温~200℃，±1℃@0.5℃
u计算机程控，测试数据可存储为Excel、PDF。内置多种通用文档模板供用户选择，还可自定义
u安全稳定（PLC对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁）设备具有安全工作保护功能
u智能化，计算机进行操控及数据编辑，测试结果自动保存及上传局域网，支持MES系统和扫码枪连接
u安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全
u电压源电流源模块化设计，根据需求，自选搭配
晶体管正向偏置安全工作区测试系统ST-FBSOA_X
