HTR-4立式4寸快速退火炉
HTR-4立式4寸快速退火炉（芯片热处理设备）广泛应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产，和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中，通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能，技术指标高、工艺复杂、专用性强。
主要应用领域：
1.快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；
2.离子注入/接触退火；
3.金属合金；
4.热氧化处理；
5.化合物合金（砷化镓、氮化物等）；
6.多晶硅退火；
7.太阳能电池片退火；
8.高温退火；
9.高温扩散。
产品特点：
可测大尺寸样品：可测单晶片样品的尺寸为4英寸。
压力控制系统创新设计：高精度控制压力，以满足不同的工艺要求。
存储热处理工艺：方便工艺参数调取，提高实验效率，数据可查询。
快速控温与高真空：最高升温速率可达150℃/s，真空度最高可达到10-5Pa。
程序设定与气路扩展：可实现不同温度段的精确控制，进行降温段的自动转接，并能够对工艺菜单进行保存，方便调用。采用MFC精确控制气体流量，实现不同气氛环境（真空、氮气等）下的热处理。
腔体空间设计：保证大尺寸样品的温场均匀性 ≤1%。
全自动智能控制：采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。
超高安全系数：采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，保障设备使用安全。
主要技术参数：
最大样品尺寸 | 4英寸（直径100mm） |
控温范围 | RT~1200℃ |
升温速率（max） | 150℃/s |
高温段降温速率（max） | 1200℃/min |
控温精度 | ±0.5℃ |
温场均匀性 | ≤1% |
气体流量 | 标配1路MFC控制（氮气）可扩展至4路 |
压力控制 | ~1bar，±100Pa |
工艺条件 | 支持真空、氧化、还原、惰性气体等工艺气氛，一键设置通过软件控制真空及通气时间 |
