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GTEM室(吉赫兹横电磁波小室)

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  • 所在地上海
  • 更新时间2024-08-10
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上海申瓦机电科技有限公司是一家在电力系统实验室、 电磁兼容(EMC)实验室、 实验室非标设备研制等方面拥有丰富实践经验的技术型公司。产品和服务覆盖电磁兼容(EMC)检测设备、实验室非标与辅助设备研制,力系统检测设备与非标定制、公司设计开发得主要产品有:高压快沿皮秒脉冲发生器、共模串模干扰测试仪、雷击浪涌模拟器、计量箱静载能力测试仪、耐扭力测试仪、计 量箱接插件插拔性能测试仪、电子标签抗弯曲测试仪、电子标签抗扭曲测试仪、 衰减振荡波磁场发生器、脉冲磁场发生器等,能够为用户提供整体的实验室解决方案。
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电磁辐射敏感度试验通常在电波暗室中完成,而采用GTEM(吉赫兹横电磁波)进行电磁兼容性测试是近年来国际电磁兼容领域发展的一项新的测量技术,尤其适用于体积较小的被测品,比如电力行业的电表等装置。由于GTEM的宽频带特性(从直流到微波),造价低廉(只相当于普通电波暗室造价的百分之几),可用于电磁辐射敏感度试验(RS试验),而且所用仪器(相对在电波暗室中做试验来说)具有配置简单、成本低廉和可用于快速和自......
GTEM室(吉赫兹横电磁波小室) 产品详情
详情介绍:

电力行业关于适用于智能电能表、集中抄表终端、专变采集终端、通信单元等设备的标准中明确要求的电磁兼容(EMC)测试项目之一就是电磁辐射敏感度试验详见下表)。GTEM小室测量法为这些标准的测试提供了标准的试验环境和辐射电平。

在开展电磁辐射敏感度试验时,先将被测品放入至GTEM小室腔体内的规定位置,使其运行至正常稳定工作状态。实验人员再通过计算机控制信号发生器和功率放大器,经由场强探头的监测在被测品周围产生一个特定的射频电磁场,幅值可以达到30V/m,波形符合标准要求的CWAM调制。当建立了合适的场强后,通过GTEM小室内部的摄像头或者外部辅助电气连接设备,判断被测品的工作运行是否在电磁场照射过程中受到影响,以此评价其电磁辐射敏感度性能。

GTEM小室是在横电磁波室(TEM室)的基础上发展起来一种新型电磁兼容测试设备。后者本身具有结构封闭,不向外辐射电磁能量,不影响操作人员健康和不干扰其它仪器的工作;由于结构封闭的特点,亦不受外界环境及干扰的影响电表作为适用的典型被测品之一,它的测试全过程中的状态监控均不会受到电磁场的影响。所有的试验台或辅助监控装置都可以通过特殊的接口与GTEM小室内部的被测品相连或通讯,很好地保证了试验的准确性和**性。

它的工作频率较宽,可从DC6GHz,甚至更高;场强范围大,从强场(如200V/m)至弱场(如10μV/m)均可测试,且场强值容易控制。

GTEM小室是根据同轴及非对称矩形传输线原理设计的。为避免内部电磁波的反射及产生高阶模式和谐振,将其设计成尖劈形。输入端采用N型同轴接头,尔后渐变至非对称矩形传输线,以减少因结构突变引起的电波反射。为使其达到良好的阻抗匹配并获得较大的均匀场区,选取并调测合适的角度、芯板高度和宽度。为使球面TEM波从输入端到负载良好传输,并具有良好的高低频特性,终端采用电阻式匹配网络与吸波材料共同组成复合负载。对于电力电表这类体积较小的被测品,在GTEM小室内部可以浸入在特定的试验电磁场中,在均匀性非常好的电场中可以很好地完成试验过程,测试结果具有很好地复现性。

吉赫芝横电磁中心处的电场强度为:


式中,E 电磁场强度的垂直分量 

Po 馈至赫芝横电磁波室的射频功率 

Rc 吉赫芝横电磁波室的特性阻抗 

d 芯板与上下板之间的垂直距离 

从式中可见较小的赫芝横电磁波室的芯板与上、下底板间的尺寸,可获得较大的场强值。 

关于GTEM小室性能的测试,没有固定的标准。根据实践,可采取如下方法:

1) 驻波比测试

电压驻波比VSWR用来衡量无线信号通过功率源、传输线、*终进入负载(例如,功率放大器输出通过传输线,*终到达天线)的有效传输功率。对于一个理想系统,传输能量为99%,这需要源阻抗、传输线及其它连接器的特征阻抗、负载阻抗之间**匹配。但实际系统中,由于阻抗失配将会导致部分功率向信号源方向反射(如同一个回波)。反射引起相互干扰,沿着传输线在不同时间、距离产生电压波峰、波谷。

VSWR用于度量电压的变化,是传输线上*高电压与*低电压之比。由于理想系统中电压保持不变,所以,对应的VSWR1:1。产生反射时,电压发生变化,VSWR就会增大 ,VSWR = |V(max)|/|V(min)|,其中,V(max)是传输线上信号电压*大值,V(min)是传输线上信号电压*小值。

也可以利用阻抗计算:VSWR = (1+Γ)/(1-Γ),其中,Γ是靠近负载端的电压反射系数,由负载阻抗(ZL)和源阻抗(Zo)确定:Γ = (ZL-Zo)/(ZL+Zo)

如果负载与传输线匹配,Γ = 0VSWR = 1:1

驻波比决定了GTEM小室进行EMC测试的频带宽度,同时决定了仪器设备的性能,驻波比小则产生场强所需的功率小,反之则大。电压驻波比的测量是指在输入端口参考面,对GTEM小室的阻抗匹配和电波反射状态进行评定。当输入信号时,其匹配性能的好坏将直接影响信号源有功功率的输入。一般用矢量网络分析仪(HP8510HP8720),其典型值小于1.5


2) 场均匀性测量

场均匀性反映了传输室内可用测试空间的大小。测试时,在小室内部主测试空间的垂直截面上均匀选取20个场强点,剔除其中偏差较大的4个点的数据,若保留点的场强在±3dB容差之内,即:

*大容差=20lg[数据*大值(V/m)/数据*小值(V/m)]< 6dB,则认为选取的区域内75%的场强幅值之差小于6dB,满足测试要求。

3) 屏蔽效能测试

屏蔽效能是关系测试人员身体健康,影响与外界设备的电磁兼容性的指标。影响GTEM小室屏蔽效能的主要因素有:屏蔽门的结构、箱体的搭接方式和电源线、信号线转接板。同样,GTEM小室的屏蔽度测量,亦没有标准可依。实际运用中,设测试区域中心场强为E0GTEM小室外1m等高处实测场强为E,则屏蔽度为:SE=20lg(E0/E)。采取电磁兼容抑制措施的结构设计一般都能满足40dB的屏效要求。

4) 时域的阻抗特性测试

GTEM小室作为一个单口网络,其内部的阻抗分布及匹配状态只有通过时域阻抗测试才能给出正确的分析与评定。GTEM小室的时域阻抗特性标准通常要求在放置EUT的矩形传输段处的特性阻抗在50Ω±5Ω范围之内。

横坐标为距离,纵坐标为驻波比,通过驻波比转换就能得到小室对应某处的时域特性阻抗。

从图中可以看出,在坐标轴分别为3cm98cm处,由于这两个位置正好位于小室接头处和芯板与电阻面阵的搭接处曲线起伏相对比较大。在我们关心的主测试段,驻波比为1.002~1.05,对应时域阻抗在47.5Ω~52.5Ω之间。

GTEM小室构成的辐射敏感度(抗扰度)测试系统如图十所示,主要由信号源、功率放大器、场强监视器、计算机及软件和GTEM小室组成。


GTEM小室主要技术参数: 

频率范围: DC18GHz

输入阻抗: 50Ω±5Ω(典型值:50Ω±2Ω 

电压驻波比: ≤1.75(典型值:≤1.5 

*大输入功率: 1000W

电场强度范围: 0.01200V/m(根据输入功率大小) 

同轴接头: L16N型) 

*大外型尺寸:5m×宽2.7m×高2.2m(可根据用户需求定制)

均匀域尺寸: 30cm×30cm

主要设备: 

GTEM小室: 吉赫芝横电磁波室。它接收放大器的输出信号后形成所需的电场。场强的大小可由场强探头测得。

信号源: 是带有GPIB接口的信号源。它同样可进行脱机或联机操作。联机时,可受计算机控制,进行相应操作。

功率放大器: 对信号源的小信号进行功率放大,并送至GTEM小室内形成所需的场强。

场强探头: 测量GTEM小室内的电场强度,并将场强信号的电平值通过专用线缆送至场强监视仪进行处理。 

抗干扰监控系统:必须具有足够的抗辐射能力以确保测试期间可以清楚地观察到被试品的运行状态。

主控计算机: 配备标准的GPIP接口卡,通过专用IEEE488电缆与场强仪连接。采用主控计算机并配置必要的系统软件,可完成对场强监视仪与信号源的同步控制,实现整个测试系统的自动化操作。 


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