常规属性
- 采用圆形离子源对全部样品区域在惰性或反应气体环境下进行刻蚀
- 可进行离子束刻蚀（IBE、IBM）、反应离子束刻蚀（RIBE）和化学辅助离子束刻蚀（CAIBE）
- 刻蚀角度调整：样品台可以旋转且倾斜可调
- 可获得的均匀性而无需修正挡板
- 通过反应气体可以提高刻蚀速率，并控制刻蚀选择性
- 通过基于SIMS（二次离子质谱）或光学的截止点探测技术控制工艺
- 可配备晶圆载具（wafer carrier）以适用不同尺寸基底
- 可以刻蚀光刻胶晶圆，具有良好的样品冷却配置
系统性能
scia Mill 150 | |
样品尺寸 | ф150mm |
样品夹具 | 水冷，氦背板冷却 转速：5 - 20 rpm 倾斜：0° - 165° 步长 0.1° |
离子源 | ф218mm的圆形ECR 微波源 MW218-e |
中和器 | 等离子体桥中和器N-3DC |
参考刻蚀速率 | SiO2：30nm/min |
刻蚀均匀性 | ≦1% (σ/mean) |
基础真空度 | 5 x 10-7 mbar |
尺寸（不含电柜与真空泵） | 1.7m x 1.7m x 1.7m |
软件界面 | SECS II / GEM, OPC |
标准配置 | 1 个工作仓 |
配置选项
- 单片 Load-Lock（可选）， OES 或SIMS截止点探测器（可选），加热套
