直探头 直探头也称平探头，可发射及接受纵波。直探头主要由压电晶片、阻尼块（吸收块）及保护膜组成。（1）压电晶片 压电晶片的厚度与超声频率成反比。（2）保护膜 直探头为避免晶片与工件直接接触而磨损晶片，在晶片下粘合一层保护膜，有软性保护和硬性保护两种。（3）阻尼块 阻尼块又名吸收块，其作用为降低降低晶片的机械品质系数，吸收声能量。如果没有阻尼块，电振荡脉冲停止时，压电晶片因惯性作用，仍继续振动，加长了超声波的脉冲宽度，使盲区增大，分辨力差。
斜探头 超声波探伤仪斜探头可发射及接收横波。斜探头主要由压电晶片、阻尼块和斜楔块组成。晶片产生纵波，经斜楔倾斜入射到被测工件中，转换为横波。斜楔为有机玻璃，被测工件为钢，斜探头的角度（即入射角）在28°~61°之间时，在钢中可产生横波。斜楔的形状应使声波在斜楔中传播时不得返回晶片，以免出现杂波。直探头在液体中倾斜入射工件时，也能产生横波。
双探头 超声波探伤仪双探头又称组合探头，两块压电晶片装在一个探头架内，一个晶片发射，另一个接收。双探头发射及接收纵波，晶片下的延迟块使声波延迟一段时间后射入工件，这样可探测近表面的缺陷并可提高分辨力。两块晶片有一倾角（一般约3°~18°），两晶片声场重合部分（阴影部分），是探伤灵敏度较高的部位。
单晶直探头
|
型号 |
频率 |
晶片尺寸 |
近场长度 |
连接端口 | ||
|
MHz |
mm |
In |
mm |
In | ||
| 2M10N | 2 | 10 | 0.39 | 8 | 0.3 | LEMO00(C5) |
| 4M10N | 4 | 10 | 0.39 | 17 | 0.7 | LEMO00(C5) |
| 2.5M10N | 2.5 | 10 | 0.39 | 11 | 0.4 | BNC(Q9) |
| 5M10N | 5 | 10 | 0.39 | 21 | 0.8 | BNC(Q9) |
| 10M10N | 10 | 10 | 0.39 | 42 | 1.7 | BNC(Q9) |
| 2M14N | 2 | 14 | 0.55 | 17 | 0.7 | LEMO00(C5) |
| 2M14N | 2 | 14 | 0.55 | 17 | 0.7 | LEMO00(C5) |
| 2M14N | 2 | 14 | 0.55 | 17 | 0.7 | LEMO00(C5) |
| 2M14N | 2 | 14 | 0.55 | 17 | 0.7 | LEMO00(C5) |
| 1M20N | 1 | 20 | 0.79 | 17 | 0.7 | LEMO00(C5) |
| 2M20N | 2 | 20 | 0.79 | 34 | 1.3 | LEMO00(C5) |
| 4M20N | 4 | 20 | 0.79 | 68 | 2.7 | LEMO00(C5) |
| 2.5M20N | 2.5 | 20 | 0.79 | 42 | 1.7 | BNC(Q9) |
| 5M20N | 5 | 20 | 0.79 | 85 | 3.3 | BNC(Q9) |
双晶直探头
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型号 |
频率 |
晶片尺寸 |
焦距 | ||
|
MHz |
mm |
In |
mm |
In | |
| 2M11FG8 | 2 | Ф11/2 | 0.43 | 8 | 0.3 |
| 2M12FG10 | 2 | Ф12/2 | 0.7 | 10 | 0.4 |
| 4M3.5×10FG10 | 4 | 3.5*10 | 0.14*0.39 | 10 | 0.4 |
| 4M3.5×10FG18 | 4 | 3.5*10 | 0.14*0.39 | 18 | 0.7 |
| 5M10FG10 | 5 | Ф10/2 | 0.39 | 10 | 0.4 |
| 2.5M20FG10 | 2.5 | Ф20/2 | 0.79 | 10 | 0.4 |
| 2.5M20FG15 | 2.5 | Ф20/2 | 0.79 | 15 | 0.6 |
| 2.5M20FG20 | 2.5 | Ф20/2 | 0.79 | 20 | 0.8 |
| 2.5M20FG30 | 2.5 | Ф20/2 | 0.79 | 30 | 1.2 |
| 5M20FG10 | 5 | Ф20/2 | 0.79 | 10 | 0.4 |
| 5M20FG15 | 5 | Ф20/2 | 0.79 | 15 | 0.6 |
| 5M20FG20 | 5 | Ф20/2 | 0.79 | 20 | 0.8 |
| 5M20FG30 | 5 | Ф20/2 | 0.79 | 30 | 1.2 |
单晶斜探头等
袋装探头
