供应全新晶体三极管IRFP250N和IRFP260N，明佳达电子现货优势热卖中，欢迎与我们：
IRFP250N详细参数：
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET（金属氧化物） |
漏源电压（Vdss） | 200V |
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 30A（Tc） |
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On） | 10V |
不同 Id 时的 Vgs（th）（zui大值） | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（zui大值） | 123nC |
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（zui大）@ Vgs | 10V |
Vgs（zui大值） | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（zui大值） | 2159pF |
电压，耦合至输入电容（Ciss）（zui大） @ Vds | 25V |
FET 功能 | - |
功率耗散（zui大值） | 214W（Tc） |
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（zui大值） | 75 毫欧 @ 18A，10V |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-247AC |
封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP260N规格：
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：50A（Tc）
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）：10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（zui大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（zui大值）：234nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（zui大）@ Vgs：10V
Vgs（zui大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（zui大值）：4057pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（zui大） @ Vds：25V
FET 功能：-
功率耗散（zui大值）：300W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（zui大值）：40 毫欧 @ 28A，10V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247AC
封装/外壳：TO-247-3
