818-BB 偏置光接收器
818-BB 系列偏置光电探测器是颇具成本效益的诊断工具，适合多种高速应用，例如查看调 Q、锁模或快速调制激光器的信号以及皮秒激光器对准。
硅、紫外硅、GaAs 和 InGaAs 版本
上升时间可达 35 ps
放大探测器可提供高达 26 dB 的增益
光纤耦合选件使对准更加容易
对比 | 型号 |
 | 818-BB-21偏压光电探测器，300-1100 nm，硅，1.2 GHz |
 | 818-BB-27偏压光电探测器，200-1100nm，硅，200 MHz |
 | 818-BB-30偏压光电探测器，1000-1600nm，InGaAs，2 GHz |
 | 818-BB-31偏压光电探测器，1000-1600nm，InGaAs，1.5 GHz，FC 输入插孔 |
 | 818-BB-35偏压光电探测器，1000-1650nm，InGaAs，12.5 GHz |
 | 818-BB-36偏压光电探测器，1475–2100 nm，扩展型 InGaAs，12.5 GHz |
 | 818-BB-36F偏压光电探测器，1475-2100 nm，扩展型 InGaAs，12.5 GHz，FC/UPC |
 | 818-BB-40偏压光电探测器，300-1100nm，硅，25 MHz |
 | 818-BB-45偏压光电探测器，400-900nm，GaAs，12.5 GHz |
 | 818-BB-45AF放大偏压光电探测器，交流耦合，400-900nm，GaAs，9 GHz，FC/UPC |
产品规格
Silicon Photodetectors
型号 |  818-BB-21 |  818-BB-27 |  818-BB-40 |
探测器材料 | Silicon | UV Enhanced Silicon | Silicon |
偏置电压/偏压 | 9 V | 24 V | 24 V |
探测器类型 | PIN | PIN | PIN |
探测器直径 | 0.4 mm | 2.55 mm | 4.57 mm |
接收角 | 10° | 50° | 60° |
波长范围 | 300-1100 nm | 200-1100 nm | 350-1100 nm |
3 dB 带宽 | |||
上升时间 | <300 ps | 3ns | <30 ns |
响应度 | 0.47 A/W @ 830 nm | 0.56 A/W @ 830 nm | 0.6 A/W @ 830 nm |
输出接头 | BNC | BNC | BNC |
NEP | <0.01 pW/√Hz | <0.1 pW/√Hz | <0.09 pW/√Hz |
饱和电流 | 3 mA | 2.5 mA | 2 mA |
结电容 | <1.5 pF | <25 pF | <45 pF |
反向击穿电压 | 20 V | 150 V | 50 V |
螺纹类型 | 8-32 and M4 | 8-32 and M4 | 8-32 and M4 |
GaAs and InGaAs Photodetectors
型号 |  818-BB-30 |  818-BB-31 |  818-BB-35 |  818-BB-45 |  818-BB-51 |
探测器材料 | InGaAs | InGaAs | InGaAs | GaAs | Extended InGaAs |
偏置电压/偏压 | 6 V | 6 V | 6 V | 3 V | 3 V |
探测器类型 | PIN | PIN | PIN | PIN | PIN |
探测器直径 | 0.1 mm | 0.1 mm | 0.032 mm | 0.040 mm | |
接收角 | 20° | 20° | 30° | 15° | 20° |
波长范围 | 1000-1600 nm | 1000-1600 nm | 1000-1650 nm | 500-890 nm | 830-2150 nm |
3 dB 带宽 | DC to 2 GHz | DC to 2 GHz | DC to 15 GHz | DC to 12.5 GHz | DC to 10 GHz |
上升时间 | 175 ps | 175 ps | 25 ps | 30 ps | 28 ps |
响应度 | 0.8 A/W @ 1300 nm | 0.9 A/W @ 1300 nm | 0.88 A/W @ 1550 nm | 0.53 A/W @ 830 nm | 1.3 A/W @ 2.0 µm |
输出接头 | BNC | BNC | SMA | SMA | SMA |
NEP | <0.1 pW/√Hz | 0.1 pW/√Hz | <0.04 pW/√Hz | <0.02 pW/√Hz at 830 nm | <0.44 pW/√Hz @ 2000 nm |
饱和电流 | 5 mA | 10 mA | 10 mA | 10 mA | |
结电容 | <0.75 pF | <1.25 pF | <0.12 pF | <0.3 pF | |
反向击穿电压 | 25 V | 25 V | 25 V | 30 V | |
螺纹类型 | 8-32 and M4 | 8-32 and M4 | 8-32 and M4 | 8-32 and M4 | 8-32 and M4 |
特征
硅版本和紫外增强硅版本
818-BB-20、-21 和 -40 由自由空间、小面积和大面积硅探测器组成，上升时间范围在 300 ps-1.5 ns 之间。除 818-BB-40 之外，每个装置都包括一个内置的偏置电源，由标准的 3 V 锂电池和 50 欧姆 BNC 连接器输出组成。电池可轻松更换，在不使用时，断开探测器与示波器输入的连接可以延长电池的使用寿命。818-BB-40 附带一个 24 VDC 的外接电源。818-BB-27 由增强了紫外响应的硅探测器构成，因此非常适用于 Nd:YAG、Nd:YLF 或其他钕玻璃激光器四次谐波以及。此外，其宽阔的有效面积和快速的响应时间使其成为 200 至 1100 nm 波段范围内的通用偏置探测器。为了获得快速响应，此探测器配备了一个 24 VDC 外部电源。
UV-Enhanced Silicon Free Space Detector
The 818-BB-27 consists of a silicon detector with an enhanced ultraviolet response, making it well suited for the fourth harmonic Nd:YAG, YLF or Glass Lasers and Excimer Lasers. Additionally, its large active area and fast response time make it an excellent general-purpose biased detector for the 200 to 1100 nm wavelength region. To attain its fast response, this detector comes with a 24 VDC external power supply.
InGaAs Free Space Detectors
The 818-BB-30, -31, and -35
consist of free-space, small and large area
InGaAs detectors, with rise times ranging from 300 ps to 1.5 ns for covering the 1000-1600 nm wavelength range. Each unit includes a built-in bias supply consisting of standard 3 V lithium cells and a 50 ohm BNC connector output. The 818-BB-51 features an extended InGaAs photodetector with a wavelength range of
1475–2100 nm.
GaAs 和 InGaAs 版本
818-BB-30、-31、-35、-45 和 -51 由自由空间、小面积和大面积 GaAs 或 InGaAs 探测器组成，上升时间范围在 300 ps-1.5 ns 之间。每个装置都包括一个内置的偏置电源，由标准的 3 V 锂电池和 50 欧姆 BNC 连接器输出组成。电池可轻松更换，在不使用时，断开探测器与示波器输入的连接可以延长电池的使用寿命。
光学接杆安装
位于 818-BB 偏置光接收器底部的 8-32 螺纹孔可用于安装光学接杆。
注意进行 ESD 防护
这些探测器非常容易受到静电释放 (ESD) 的影响而造成损坏。在拆包和操作这些设备时，请使用 ESD 保护措施，例如 FK-STRAP。
上升时间可达 25 ps
818-BB-35 和 818-BB-45 光电二极管探测器模块为 12.5 GHz 带宽的超快速测量提供了低成本的解决方案。这些探测器适用于调 Q 和超快激光输出分析需要探测器上升时间 <25 ps（对于 818-BB-45 则 <30 ps）的应用。这些探测器还使用 3 V 锂电池（已提供）。
