LEEG单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力，可应对复杂的化学场合和机械负荷，同时具备较强的抗电磁干扰能力，适合苛刻的流程工业环境中压力、液位或流量测量应用。
优势
单晶硅技术压力传感器
双膜片过载防护结构
集成电路与表面封装技术的信号变送模块
显示模块可355°旋转
壳体外隔离磁感应三按键参数设置
耐瞬变电压保护端子模块
特征
测量范围: 200Pa - 10MPa
输出信号: 4-20mA,4~20mA/HART
参考精度: ±0.2%,±0.1%,±0.05% URL
介质温度: -40-120℃,
测量介质：液体、气体或蒸汽
电源: 4~20mA 二线制, 10.5-55vdc、4~20mA+HART 二线制, 16.5-55vdc 膜片材质：316L不锈钢，哈氏合金C
年稳定性: ±0.2% URL/5年
过程连接: M20*1.5(M), 1/2-14NPT(F), 1/4-18NPT(F)
防护等级: IP67
认证: CE认证，防爆认证
应用
过程控制系统
石油工业
化工行业
