LEEG单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶部，远离介 质接触面，实现机械隔离和热隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提 高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力，可应对复杂的化学场合和机械负荷，同时具备 较强的抗电磁干扰能力，适合苛刻的流程工业环境中液位测量应用。
优势
的单晶硅压力传感器技术与封装工艺，精心研制出的一款技术的高性能压力变送 器
双膜片过载结构，从容应对高过载考验
用集成电路与表面封装技术的信号变送模块，性能的24位ADC实现高精度与快速应答 显示模块可355°旋转，按键参数操作功能友好
按键参数设置不影响电气防护等级，更安全、更快捷
特征
测量范围: 4kPa-1MPa
输出信号: 4-20mA, 4~20mA/HART
参考精度: ± 0.5% , ± 0.2%, ± 0.1% URL
介质温度: -40-120℃
测量介质：液体、气体或蒸汽
防护等级: IP67
电源: 4~20mA 二线制, 10.5-55vdc、4~20mA+HART 二线制, 16.5-55vdc
膜片材质：316L不锈钢，哈氏合金C
年稳定性: ±0.2% URL/5年
过程连接: DN50PN10, DN80PN10, DN100PN10
应用
过程控制系统
石油工业
化工行业
