三菱IGBT模块
武汉晶达电子有限公司聚十多年功率半导体的专业经验,为三菱功率半导体器件在中国区域的*代理商，负责三菱功率半导体在中国市场的推广和销售工作。以下大量现货，欢迎查询。
A系列
特点:
a） 采用的CSTBT硅片技术；
b） 低饱和压降Vce（sat）；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff高短路承受力（不需要RTC）；
c） 降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT；
d） 采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻；
e） 比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构，按IEC747-15标准定义温度和热阻。
用途:
低成本设计，适合中、低端
| 型号 | 模块结构及参数 | 型号 | 模块结构及参数 |
| CM400HA-24A | 一单元，400A/1200V | CM600DY-24A | 两单元，600A/1200V |
| CM600HA-24A | 一单元，600A/1200V | CM75DY-34A | 两单元，75A/1700V |
| CM100DY-24A | 两单元，100A/1200V | CM100DY-34A | 两单元，100A/1700V |
| CM150DY-24A | 两单元，150A/1200V | CM150DY-34A | 两单元，150A/1700V |
| CM200DY-24A | 两单元，200A/1200V | CM200DY-34A | 两单元，200A/1700V |
| CM300DY-24A | 两单元，300A/1200V | CM300DY-34A | 两单元，300A/1700V |
| CM400DY-24A | 两单元，400A/1200V | CM400DY-34A | 两单元，400A/1700V |
