RA07M2127M 三菱功放模块 RA07M2127M-仪表网

公司介绍主营产品

深圳市浩时健电子技术有限公司(Shenzhen Haoshijian Electronics Co.,Ltd)是在中国地区面向OEM厂商和部属研究院提供产品销售和技术支持的办事机构。在全国设有两个办事处分别位于香港及深圳，总部设在香港。专业代理品牌传感器与控制元件、射频微波、功放模块、电源模块等产品。其主要应用在电子通讯、医疗设备、仪器仪表、电力系统、自动化控制、无线电设备、汽车电话以及车载市场等行业。

在传感与控制产品领域，我们已具备丰富的销售经验和强大的技术支持，是目前国内较大规模的传感器销售公司。我们提供的传感器覆盖面极为广泛：包括美国Honeywell霍尼韦尔压力、触力、红外、湿度、霍尔、电流及气体流量传感器；美国ADI加速度和角速率陀螺仪传感器；；法国Humirel湿敏电容；FIGARO费加罗全系列催化式、电化学、红外线气体传感器；德国PerkinElmer海曼、日本NICERA尼塞拉热释电红外传感器；SHARP光电传感器等。

*致力推广日本MITSUBISHI三菱射频功放模块及其分立MOSFET管；美国Mini-Circuits混频器、耦合器、功分器、振荡器、衰减滤波器；HITTITE放大器、分离器、开关、衰减混频器；ANAREN安伦电桥、混合器、衰减器；SIRENZA功率放大器、晶体管；TriQuint数字、模拟和混合信号砷化镓集成电路；M/A-COM、Freescale：MRFx系列高频管和放大器；荷兰NXP恩智浦BLFxxx系列射频功率管；日本COSEL科索电源模块，美国VICOR怀格电源模块，日本TDK-Lambda电盛兰达电源模块，法国GAIA盖亚等多种电源模块；英国CML有线通信芯片,无线数据Modem,数字对讲机基带处理芯片,模拟对讲机基带处理芯片,AIS基带处理芯片，音频编解码芯片等。未来，我们将竭诚提供更广，更全，更准确的技术支持和售后服务。“质量*，客户*”衷心期待广大客户和同仁前来洽谈业务，谢谢合作！

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该RA07M2127M是7-watt RF的MOSFET放大器模块for 7.2-volt，在215-工作的移动收音机270-MHz范围

三菱功放模块 RA07M2127M 产品详情

该RA07M2127M是7-watt RF的MOSFET放大器模块for 7.2-volt，在215-工作的移动收音机270-MHz范围.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门电压（VGG进排水=0V）,只是一个很小的泄漏电流与输入信号衰减的RF高达60 dB.输出功率作为栅极和漏极电压增加电流增加.随着栅极电压约2.5V（zui低），输出功率和漏目前的大幅增加.额定输出功率变在3V（典型值）和3.5V（zui大）提供.在VGG=3.5V,的典型栅极电流1 mA.该模块是专为非线性调频调制，但可能也可用于线性调制通过设置静态漏电流随栅极电压和输出功率控制输入功率.

深圳浩时健电子有限公司是国内三菱射频电子元器件专业供应商，三菱射频产品广泛应用用于移动通信基站、直放站、卫星通信、有线电视、雷达、无线本地环等领域。积极向国内生产和科研单位*新产品：日本三菱公司生产的系列射频功率放大模块、系列射频场效应三极管。多年以来已为国内众多的生产厂家、科研院所、大专院校、国家重要单位维修部门的生产、维修、研制开发新品、教学实验等提供了准确、快捷、方便的配套供货服务。在经营运作上,我公司批发、零售兼营，可向用户*保证货源，并保证供货品种的技术指标满足相关的检测标准。

三菱（MITSUBISHI）:HF/VHF/UHF/900MHz（分立MOSFET管）

RD100HHF1、RD70HVF1、RD70HUF2、RD70HHF1、RD60HUF1、RD45HMF1、RD35HUF2、RD30HUF1、RD30HVF1、RD20HMF1、RD16HHF1、RD15HVF1、RD12MVP1、RD12MVS1、RD09MUP2、RD07MVS1B、RD07MVS1、RD07MVS2、RD07MUS2B、RD06HVF1、RD06HHF1、RD05MMP1、RD04HMS2、RD02MUS1、RD02MUS1B、RD02MUS2、RD01MUS1、RD02MUS2B、RD01MUS2、RD00HHS1、RD00HVS1等RD全系列。

三菱（MITSUBISHI）：（射频功率放大模块）

RA60H4452M1、RA60H4047M1、RA60H3847M1、RA60H1317M1A、RA60H1317M、RA55H4452M、RA55H4047M、RA55H3847M、RA55H3340M、RA45H8994M1、RA45H7687M1、RA45H4452M、RA45H4047M、RA45H4045MR、RA35H1516M、RA33H1516M1、RA30H4552M1、RA30H4452M、RA30H4047M1、RA30H4047M、RA30H3340M、RA30H2127M、RA30H1721M、RA30H1317M1、RA30H1317M、RA30H0608M、RA20H8994M、RA20H8087M、RA18H1213G、RA13H8891MA、RA13H8891MB、RA13H4452M、RA13H4047M、RA13H3340M、RA13H1317M、RA08H1317M、RA08N1317M、RA07N4452M、RA07N4047M、RA07N3340M、RA07M4452MSA、RA07M4452M、RA07M4047MSA、RA07M4047M、RA07M3843M、RA07M3340M、RA07M2127M、RA07M1317MSA、RA07M1317M、RA07M0608M、RA07H4452M、RA07H4047M、RA07H3340M、RA07H0608M、RA06H8285M、RA05H9595M、RA05H8693M、RA03M9595M、RA03M8894M、RA03M8087M、RA03M4547MD、RA03M4043MD、RA03M3540MD、RA02M8087MD、RA01L9595M、RA01L8693MA等RA全系列。

本公司*经营日本MITSUBISHI三菱全系列射频功率放大模块，保证*，*现货，批号无铅环保，假一罚十。深圳、香港公司备有大量现货库存，可提供样品，现*热卖中。

特征

• 增强型MOSFET晶体管（IDD≅0@ VDD=7.2V, VGG=0V）

• Pout>7W @ VDD=7.2V, VGG=3.5V, Pin=20mW

•ηT>45% @ Pout=6.5W （VGG控制），VDD=7.2V, Pin=20mW

• 宽带频率范围：215-270MHz

• 低功耗控制电流IGG=1mA （typ）在VGG=3.5V

• 模块尺寸：30 x 10 x 5.4 mm

• 线性操作有可能通过设置静态漏电流同门电压和输出功率的控制输入功率

RA07M2127M：Silicon RF Power Semiconductors RoHS Compliance ,215-270MHz 7W 7.2V, 2Stage Amp. For PORTABLE RADIO

DESCRIPTION
The RA07M2127M is a 7-watt RF MOSFET Amplifier Module for 7.2-volt portable radios that operate in the 215- to 270-MHz range.The battery can be connected directly to the drain of the enhancement-mode MOSFET transistors. Without the gate voltage （VGG=0V）, only a small leakage current flows into the drain and the RF input signal attenuates up to 60 dB. The output power and drain current increase as the gate voltage increases.With a gate voltage around 2.5V （minimum）, output power and drain current increases substantially. The nominal output power becomes available at 3V （typical） and 3.5V （maximum）. At VGG=3.5V, the typical gate current is 1 mA.This module is designed for non-linear FM modulation, but may also be used for linear modulation by setting the drain quiescent current with the gate voltage and controlling the output power with the input power.

FEATURES
• Enhancement-Mode MOSFET Transistors （IDD≅0 @ VDD=7.2V, VGG=0V）
• Pout>7W @ VDD=7.2V, VGG=3.5V, Pin=20mW
• ηT>45% @ Pout=6.5W （VGG control）, VDD=7.2V, Pin=20mW
• Broadband Frequency Range: 215-270MHz
• Low-Power Control Current IGG=1mA （typ） at VGG=3.5V
• Module Size: 30 x 10 x 5.4 mm
• Linear operation is possible by setting the quiescent drain current with the gate voltage and controlling the output power with the input power RoHS COMPLIANCE
• RA07M2127M-101 is a RoHS compliant products.
• RoHS compliance is indicate by the letter “G” after the Lot Marking.
• This product include the lead in the Glass of electronic parts and the lead in electronic Ceramic parts.How ever,it applicable to the following exceptions of RoHS Directions.
1.Lead in the Glass of a cathode-ray tube, electronic parts, and fluorescent tubes.
2.Lead in electronic Ceramic parts.

ORDERING INFORMATION:
ORDER NUMBER：RA07M2127M-101
SUPPLY FORM：Antistatic tray, 50 modules/tray

关键词：电子元器件科研院标准

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