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一、半导体管图示仪YB6600特点
1. 基于计算机显示
2. 多种器件的多种曲线
3. 数据点是可控的
4. 增量可以是线性或对数
5. 可控的关断时间，以减小器件发热
6. 可保存和调用曲线程序
7. 保存和调用先前捕获的曲线图片
8. *自动存储数据到EXCEL
9. 预置zui大电压和zui大电流限制防止器件损坏和发热
10. 存储/调用测试程序
11. 多样的连续曲线
12. 在测试程序中的电流限制
13. 使用方便
①选择曲线 ②输入范围 ③按下启动
14. 使用高速ATE系统生成曲线
二、半导体管图示仪YB6600范围
电压
2000V
20V
电流
50A（100A可选）
10A
分辨率
1MV
0.1NA
0.1毫欧的导通电阻
三、半导体管图示仪YB6600可实现曲线
1、Mosfet（N-Channel＆P- Channel）（金属-氧化物-半导体 场效应管）
ID vs VDS （在VGS范围内）
ID vs VGS （在一个固定的ID）
IS vs VSD
RDS vs VGS（在一个固定的VDS）
RDS vs ID （在VGS范围内）
2、Transisitor（晶体管）
HFE vs IC
BVCE（O.S.R.V） vs IC
BVEBO vs IE
BVCBO vs IC
VCE（SAT）（在一定的IC/IB比率）
VCE（SAT） vs IB（在IC的范围内）
VBE（SAT） vs IB （在一定的IC/IB比率）
VBE（ON） vs IC （在一定的VCE）
3、IGBT（N-Channel＆P- Channel）（绝缘栅双极晶体管）
IC vs VCE （在VGE范围内）
IC vs VGE （在一定的VCE）
ICES vs VCE
IF vs VF
4、DIODE （二极管）
IR vs VR
5、ZENER （稳压管）
IF vs VF
IR vs VR
6、TRIAC （双向可控硅）
IT vs VT（+/-） （在一个固定的IG）
7、SCR （单项可控硅）
IT vs VTM （在一个固定的IG）
8、SSVOP（固态过压保护器）
IT vs VT（+/-） （在一个固定的IBO）
9、SIDAC（高压触发二极管）
IT vs VT（+/-） （在一个固定的IBO）
10、DIAC（双向触发二极管）
ID vs VF（+/-）
11、REGULATOR（稳压器）
Electronic Load vs V OUT（在一个固定zui大电流）
12、J-FET（（N-Channel＆P- Channel）） （结型场效应管）
ID（OFF） vs VDS（在VGS范围内）
ID（OFF） vs VGS（在一个固定的VDS）
ID（ON） vs VDS（在VGS范围内）
ID（ON） vs VGS（在一个固定的VDS）
13、Curve Tracer Mode Only（曲线跟踪模式）
IC vs VCE（在一个固定的IB）
