【仪表网 仪表企业】近日，为电子应用领域客户提供服务的半导体公司意法半导体(STM)宣布，已签署协议收购法国氮化镓(GaN)创新者Exagan的多数股权。Exagan在外延、产品开发和应用技术方面的专业知识将拓宽和加速意法半导体在汽车、工业和消费类应用中的功率GaN路线图和业务。Exagan将继续执行其产品路线图，并将在部署其产品时得到意法半导体的支持。
交易条款未披露，收购结束仍需获得法国当局的常规监管批准。签署的协议还规定，意法半导体在收购多数股权结束24个月后收购Exagan剩余的少数股权。这笔交易的资金来自可用现金。
意法半导体总裁兼执行官让-马克•奇瑞(Jean-Marc Chery)表示：“ST在碳化硅领域已经形成了强劲的发展势头，目前正在另一种非常有前景的复合材料氮化镓方面进行扩张，以推动基于GaN的电力产品被汽车、工业和消费市场的客户采用。收购Exagan的多数股权，是在加强我们在电力半导体领域的技术以及我们的长期GaN路线图、生态系统和业务方面迈出的又一步。它是CEA-Leti在法国图尔的持续发展以及近宣布的与台积电的合作的补充。”
氮化镓(GaN)属于含碳化硅的宽带隙(WBG)材料家族。GaN基器件是提供高频操作的电力电子技术的一个重大进步，与硅基晶体管相比，GaN基器件具有更高的效率和更高的功率密度，从而节省了功率和整个系统的体积。GaN产品将涉及多种应用，如服务器、电信和工业应用中的功率因数校正和DC/DC转换器、汽车应用中的EV车载充电器和DC-DC转换器、以及电源适配器等个人电子应用。
Exagan成立于2014年，总部位于法国格勒诺布尔(Grenoble)，致力于加速电力电子行业从硅基技术向硅基技术的转变，实现更小、更高效的电子转换器。它的GaN功率开关设计用于制造标准的200mm晶圆厂。
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