《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范》团标发布

　　【仪表网 仪表标准】2020年12月28日，北京第三代半导体产业技术创新战略联盟发布一项联盟标准T/CASA 006-2020《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范》。本标准自2021年1月1日开始实施。
 

　　该项标准由中国科学院微电子研究所牵头起草，按照CASAS标准制定程序(立项、征求意见稿、委员会草案、发布稿)，反复斟酌、修改、编制而成。标准的制定得到了很多CASA标准化委员会正式成员的支持。
 

　　随着碳化硅材料、器件技术的不断突破与发展，碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)近年来在新能源、电动汽车等领域应用越来越广泛，并取得了不错的示范效果。为了加快推进SiC MOSFET功率器件的产业化发展和规模化应用，迫切需要制定SiC MOSFET功率器件的标准和规范，以指导和促进SiC MOSFET功率器件的性能不断提升，质量更加可靠，应用更符合实际需求。
 

　　本文件充分借鉴了IEC 60747-8-4 Discrete Semiconductor devices - Part 8-4:Metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors for power switching applications的内容，并结合了近几年科研人员在SiC MOSFET功率器件的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对SiC MOSFET的动静态参数、可靠性考核测试方法等进行了详细的规定，但局限于当前科研人员对SiC MOSFET器件的认知，以及该产品生产与应用所处的发展阶段，可能还存在一些不足的地方，后续将根据研究进展不断进行完善和升级。
 

　　T/CASA 006-2020《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范》主要起草单位有中国科学院微电子研究所、能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、华大半导体有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司。中国电子科技集团公司第十三研究所、东莞市中镓半导体科技有限公司、江苏捷捷微电子股份有限公司、派恩杰半导体(杭州)有限公司和山东阅芯电子科技有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司等单位为本文件的撰写提供了大量的支持。