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上海光机所首次提出TM偏振全介质光栅激光损伤阈值优越性

研发快讯 2023年11月07日 15:23:13来源:上海光学精密机械研究所 18641
摘要皮秒大能量钕玻璃激光装置是实现激光聚变的重要工具,支持皮秒大能量脉冲展宽和压缩的高阈值全介质光栅是实现目前SG-II、NIF-ARC等大激光装置能量负载能力提升的一个核心技术难题。

  【仪表网 研发快讯】近期,中国科学院上海光学精密机械研究所邵建达研究员、晋云霞研究员团队在TM偏振全介质脉冲压缩光栅领域取得突破性进展。相关成果以“TM polarization preferentially implemented in the next generation of high-intensity laser systems based on multilayer dielectric gratings”为题发表于Applied Physics Letters。
 
  皮秒大能量钕玻璃激光装置是实现激光聚变的重要工具,支持皮秒大能量脉冲展宽和压缩的高阈值全介质光栅是实现目前SG-II、NIF-ARC等大激光装置能量负载能力提升的一个核心技术难题。在过去近40年里,该类激光装置均采用高色散TE偏振全介质光栅实现脉冲压缩且可用光栅的通量阈值也接近极限。研究团队针对高损伤阈值全介质压缩光栅需求,首次基于低色散偏振无关全介质光栅阐明TM偏振的阈值优越性。
 
  在本项研究中,研究团队首次利用多层倾角结构构建偏振无关全介质光栅,其TE和TM双偏振衍射效率性能在1020~1080 nm的波长范围内处于同一水平,平均效率均超98%。以偏振无关全介质光栅为平台,在同等激光条件、同等光栅光谱性能的条件下,开展研究全介质压缩光栅抗激光损伤能力对偏振态的响应情况。研究结果显示:TM偏振下1170 g/mm全介质光栅的1-on-1通量阈值(为1.4~2.0 J/cm2@8.6 ps、1053±3 nm)约为TE偏振的1.55倍。通过分析损伤演化过程和创建生长模型,阐明了TM偏振全介质光栅具有低电场增强、对激发光强度的低敏感度、对损伤结构的低响应,以及低损伤生长动态,为研制高阈值介质光栅、建设大能量负载压缩器寻求了新的技术路径。目前,本团队正将TM偏振全介质光栅的口径推向米级,并开展性能更优异的设计方案,未来服务于我国大激光装置建设。
 
  研究工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、科技部、上海市战略新兴产业项目的支持。
 
  图 1偏振无关全介质光栅(a)多层倾角偏振无关光栅设计示意;(b)AFM测试样品槽形轮廓;(c)SEM测试样品剖面结构
 
  图2 光栅内部归一化电场增强分布,激光从光栅左侧入射,(a)对应TE偏振;(b)对应TM偏振,插图表示双偏振下光栅初始损伤形貌,其中白色线条表示200 nm标尺
 
  图3 损伤生长(a)损伤生长序列和对应的计算案例;(b)损伤光栅的衍射效率谱随烧蚀空泡横截面尺寸的变化;(c)光栅脊内部最大电场增强值与烧蚀空泡横截面大小的关系

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