快速发布求购 登录 注册
行业资讯行业财报市场标准研发新品会议盘点政策本站速递

微电子所研制国内产业化IGBT芯片

新品抢鲜 2010年04月02日 10:41:35来源:微电子研究所 5361
摘要

    
         日前,由中国科学院微电子研究所设计研发的15-43A /1200V IGBT系列产品(采用Planar NPT器件结构)在华润微电子工艺平台上流片成功,各项参数均达到设计要求,部分性能优于国外同类产品。这是国内自主研制可产业化的IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品,标志着我国全国产化IGBT芯片产业化进程取得了重大突破,拥有了条专业的完整通过客户产品设计验证的IGBT工艺线。

         该科研成果主要面向家用电器应用领域,联合江苏矽莱克电子科技有限公司进行市场推广,目前正由国内的家电企业用户试用,微电子所和华润微电子将联合进一步推动国产自主IGBT产品的大批量生产。

         IGBT作为新型电力电子器件的典型代表,广泛应用于智能电网、新能源发电、新能源汽车、工业变频、机电一体化、家用电器等诸多领域,是关系国家能源、交通、工业、家电等国计民生的核心电子元器件。由于国内IGBT制造工艺的落后,严重制约了我国IGBT产品的全国产化和产业化进程,技术和市场完全被少数国外企业垄断,尤其在应用领域。

         定位于“满足国家战略需求” 目标的中国科学院微电子研究所,在VDMOS、IGBT等功率器件领域的研制有二十多年的技术积累和基础,为我国微电子技术和产业发展做出了重要贡献,培育了一批的功率器件和工艺设计研发团队,建设拥有世界先进的功率器件全参数测试平台,并正在建设全面的可靠性设计测试分析平台。为面向国家新兴战略产业,微电子所正致力于智能电网和电动汽车等应用领域的IGBT产品开发。

版权与免责声明
  • 凡本网注明"来源:仪表网"的所有作品,版权均属于仪表网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的,应在授权范围内使用,并注明"来源:仪表网"。违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。
  • 本网转载并注明自其它来源的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品来源,并自负版权等法律责任。
  • 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
  • 合作、投稿、转载授权等相关事宜,请联系本网。联系电话:0571-87759945,QQ:1103027433。
广告招商
今日换一换
新发产品更多+

客服热线:0571-87759942

采购热线:0571-87759942

媒体合作:0571-87759945

  • 仪表站APP
  • 微信公众号
  • 仪表网小程序
  • 仪表网抖音号
Copyright ybzhan.cn    All Rights Reserved   法律顾问:浙江天册律师事务所 贾熙明律师   仪表网-仪器仪表行业“互联网+”服务平台
意见反馈
我知道了