快速发布求购 登录 注册
行业资讯行业财报市场标准研发新品会议盘点政策本站速递

中科院上海微系统所镓砷铋量子阱激光器研究获进展

仪表研发 2017年06月26日 08:29:02来源:上海微系统与信息技术研究所 14925
摘要近期,中科院上海微系统与信息技术研究所镓砷铋(GaAsBi)量子阱激光器研究取得重要进展。

  【仪表网 仪表研发】近期,中科院上海微系统与信息技术研究所镓砷铋(GaAsBi)量子阱激光器研究取得重要进展。
 

 
  王庶民研究员领导的研究团队采用分子束外延方法生长了镓砷铋量子阱材料,并成功制备出目前发光波长长(1.142微米)的电泵浦镓砷铋室温(300 K)量子阱激光器,突破之前1.06微米的世界纪录,脉冲激射大输出功率达到127 mW,并在273 K报道连续激射。
 
  相关研究论文“1.142 μm GaAsBi/GaAs Quantum Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy”于2017年6月5日在ACS Photonics发表,(DOI: 10.1021/acsphotonics.7b00240) 。
 
  稀铋半导体材料具有一系列不同于传统三五族材料的优良特性,是一种富有潜力的新型光电器件材料,也是当前上研究的热门领域之一。其中镓砷铋材料由于其较大的带隙收缩效应、自旋轨道分裂能和较低的温敏性等特点,被认为是光通讯系统中非制冷激光器具潜力的新材料之一。但是,为了有效凝入铋组分,镓砷铋材料生长需要较低温度,这就容易导致缺陷密度增大从而影响材料的发光性能,激光器材料生长有极大挑战。
 
  中科院上海微系统与信息技术研究所吴晓燕、潘文武等人基于分子束外延技术优化生长了高质量的镓砷铋量子阱材料,成功制备较高性能的镓砷铋量子阱激光器,发光波长拓展到1.142微米,同时其特征温度和波长温敏系数均优于当前商用的InP基激光器。该项研究有助于推动新型稀铋材料在光电器件领域的应用。
 
  该项工作得到了973项目和国家自然科学基金重点项目的资助。
 
  (原文标题:上海微系统所镓砷铋量子阱激光器研究取得重要进展)

我要评论
文明上网,理性发言。(您还可以输入200个字符)

所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。

版权与免责声明
  • 凡本网注明"来源:仪表网"的所有作品,版权均属于仪表网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的,应在授权范围内使用,并注明"来源:仪表网"。违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。
  • 本网转载并注明自其它来源的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品来源,并自负版权等法律责任。
  • 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
  • 合作、投稿、转载授权等相关事宜,请联系本网。联系电话:0571-87759945,QQ:1103027433。
广告招商
今日换一换
新发产品更多+

客服热线:0571-87759942

采购热线:0571-87759942

媒体合作:0571-87759945

  • 仪表站APP
  • 微信公众号
  • 仪表网小程序
  • 仪表网抖音号
Copyright ybzhan.cn    All Rights Reserved   法律顾问:浙江天册律师事务所 贾熙明律师   仪表网-仪器仪表行业“互联网+”服务平台
意见反馈
我知道了