仪表网课

行业企业市场标准科技新品会议展会政策原创

高灵敏度石墨烯太赫兹外差混频探测器研究获进展

仪表研发 2017年06月30日 08:29:03 来源:中国科学院人气:17624
分享:
  【仪表网 仪表研发】中国电子科技集团有限公司第十三研究所专用集成电路重点实验室与中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中国科学院纳米器件与应用重点实验室再次合作,在高灵敏度石墨烯场效应晶体管(G-FET)太赫兹自混频(Homodyne mixing)探测器的基础上,实现了外差混频(Heterodyne mixing)和分谐波混频(Sub-harmonic mixing)探测,高探测频率达到650 GHz,利用自混频探测的响应度对外差混频和分谐波混频的效率进行了校准,该结果近期发表在碳材料杂志Carbon上(Carbon 121, 235-241 (2017))。
 


650 GHz天线耦合的G-FET太赫兹外差混频探测器
 
  频率介于红外和毫米波之间的太赫兹波(Terahertz wave)在成像、雷达和通信等技术领域具有广阔的应用前景,太赫兹波与物质的相互作用研究具有重要的科学意义。高灵敏度太赫兹波探测器是发展太赫兹应用技术的核心器件,是开展太赫兹科学研究的重要手段与主要内容之一。太赫兹波探测可分为直接探测和外差探测两种方式:直接探测仅获得太赫兹波的强度或功率信息;而外差探测可同时获得太赫兹波的幅度、相位和频率信息,是太赫兹雷达、通信和波谱成像应用必需的核心器件。外差探测器通过被测太赫兹信号与低噪声本地相干太赫兹信号的混频,将被测信号下转换为微波射频波段的中频信号后进行检测。与直接探测相比,外差探测通常具备更高的响应速度和灵敏度,但是探测器结构与电路更加复杂,对混频的机制、效率和材料提出了更高的要求。
 
  天线耦合的场效应晶体管支持在频率远高于其截止频率的太赫兹波段进行自混频探测和外差混频探测。前者是直接探测的一种有效方法,可形成规模化的阵列探测器,也是实现基于场效应晶体管的外差混频探测的基础。目前,国际上基于CMOS晶体管实现了本振频率为213 GHz的2次(426 GHz)和3次(639 GHz)分谐波混频探测,但其高阻特性限制了工作频率和中频带宽的提升。
 
  石墨烯场效应晶体管因其高电子迁移率、高可调谐的费米能、双极型载流子及其非线性输运等特性为实现高灵敏度的太赫兹波自混频和外差混频探测提供了新途径。前期,双方重点实验室秦华团队和冯志红团队合作成功获得了室温工作的低阻抗高灵敏度石墨烯太赫兹探测器,其工作频率(340 GHz)和灵敏度(~50 pW/Hz1/2)达到了同类探测器中的高水平(Carbon 116, 760-765 (2017))。此次合作进一步使工作频率提高至650 GHz,并实现了外差混频探测。
 
  工作在650 GHz的G-FET太赫兹探测器通过集成超半球硅透镜,首先通过216、432和650 GHz的自混频探测,验证了探测器响应特性与设计预期一致,并对自混频探测的响应度和太赫兹波功率进行了测试定标。在此基础上,实现了本振为216 GHz和648 GHz的外差混频探测,实现了本振为216 GHz的2次分谐波(432 GHz)和3次分谐波(648 GHz)混频探测。混频损耗分别在38.4 dB和57.9 dB,对应的噪声等效功率分别为13 fW/Hz和2 pW/Hz。2次分谐波混频损耗比216 GHz外差混频损耗高约8 dB。
 


(a)准光耦合的外差混频探测系统示意图;(b)216 GHz外差混频探测的中频频谱
 
  此次获得混频频率已远高于国际上已报道的石墨烯外差探测的高工作频率(~200 GHz),但中频信号带宽小于2 GHz,低于国际上报道高中频带宽(15 GHz)。总体上,目前G-FET外差混频探测器性能尚不及肖特基二极管混频器。但是,无论在材料质量还是在器件设计与工艺技术上,都有很大的优化提升空间。根据Andersson等人预测,G-FET的混频转换效率可降低至23.5 dB,如何达到并超越肖特基二极管混频探测器的性能指标是未来需要重点攻关的关键问题。
 


(a)分别采用432 GHz直接探测和本振为216 GHz的2次分谐波探测对树叶进行的透射成像效果对比;(b)采用本振为216 GHz的2次分谐波探测对柠檬片的透视成像
 
  上图所示为基于432 GHz的直接探测以及二次谐波探测的透射成像图对比,分谐波探测时的透射成像显现出比直接探测更高的动态范围,可达40 dB。
 
  该研制工作得到了国家自然科学基金项目(No. 61271157, 61401456, 61401297等)、国家重点研发计划(2016YFF0100501, 2014CB339800)、中科院青促会(2017372)、中科院苏州纳米所纳米加工平台、测试分析平台和南京大学超导电子学研究所的大力支持。
 
  (原标题:石墨烯太赫兹外差混频探测器研究获进展)
关注本网官方微信 随时阅专业资讯
加入本网采购群 了解更多采购信息
@仪表网

全年征稿 / 资讯合作

联系邮箱:ybzhan@QQ.com

我要评论

文明上网,理性发言。(您还可以输入200个字符)

所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。

  • 凡本网注明"来源:仪表网"的所有作品,版权均属于仪表网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的,应在授权范围内使用,并注明"来源:仪表网"。违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。
  • 本网转载并注明自其它来源的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品来源,并自负版权等法律责任。
  • 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
  • 合作、投稿、转载授权等相关事宜,请联系本网。联系电话:0571-87759945,QQ:1103027433。
成丰仪表——中国第三代流量计领军品牌


返回首页