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深圳市星际金华实业有限公司


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N沟道场效应晶体管

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N沟道场效应晶体管
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具体成交价以合同协议为准

产品型号IKW75N65ES5

品       牌

厂商性质经销商

所  在  地深圳市

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联系方式：陈小姐查看联系方式

更新时间：2018-11-27 17:34:16浏览次数：576次

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深圳市星际金华实业有限公司

经营模式：经销商

商铺产品：198条

所在地区：广东深圳市

联系人：陈小姐 （销售经理）

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产品简介
产地 进口 加工定制 否

深圳市星际金华出售IKW75N65ES5 N沟道场效应晶体管：TRENCHSTOP™5 S5是新型IGBT系列，适用于10kHz至40kHz之间的应用切换，可提供高效率，更快的产品上市周期，降低电路设计复杂性以及PCB材料成本优化。

详细介绍

深圳市星际金华出售IKW75N65ES5 N沟道场效应晶体管  *  进口*  质量有保证

星际金华提供  IKW75N65ES5 N沟道场效应晶体管   价优物原   库存充足  欢迎选购

功能摘要：
极低的V CE（sat）在25°C时为1.35V，比TRENCHSTOP™5 H5低20％
IC（n）=标称电流的四倍（100°CT c）
软电流下降特性，无尾电流
对称，低压过冲
栅极电压受控制（无振荡）。没有不必要的器件导通的风险，也不需要栅极钳位
高结温T vj = 175°C
符合JEDEC标准

优点：
不需要V CE（峰值）钳位电路
适用于单个导通/关断栅极电阻
无需门夹紧组件
不需要米勒钳位的栅极驱动器
减少所需的EMI滤波
非常适合并联

目标应用：
存储
UPS
焊接
太阳能
充电器

规格：

IGBT 类型 沟道

电压 - 集射极击穿（大值） 650V

电流 - 集电极（Ic）（大值） 80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 300A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 1.75V @ 15V，75A

功率 - 大值 395W

开关能量 2.4mJ（开），950µJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 164nC

25°C 时 Td（开/关）值 40ns/144ns

测试条件 400V，75A，18 欧姆，15V

反向恢复时间（trr） 85ns

工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 PG-TO247-3

 星际金华期待广大商友致电    我们将竭诚为您服务

关键词：标准 充电器

或

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