上海屹持光电技术有限公司
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| 产地 | 进口 | 加工定制 | 否 |
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自由空间的太赫兹光电导天线由一个光电导天线和高阻硅透镜封装而成。我们通常使用低温生产的GaAs（LT-GaAs）或者GaBiAs作为光电导材料。不同的光电导材料适用于不同的激发波长。
太赫兹光电导天线 低温砷化镓天线 太赫兹天线发射器
自由空间的太赫兹发射器由一个光电导天线和高阻硅透镜封装而成。我们通常使用低温生产的GaAs（LT-GaAs）或者GaBiAs作为光电导材料。不同的光电导材料适用于不同的激发波长。
左图：太赫兹光电导天线，右图：太赫兹光电导发射天线电极结构
太赫兹光电导发射天线参数规格
| LT-GaAs太赫兹光电导天线 | GaBiAs太赫兹光电导天线 |
| 激发功率：<50mW, 典型值30mW | 激发功率：<20mW |
| 偏置电压：<50V, 典型值40V | 偏置电压：<50V，典型值40V |
| 集成高阻硅透镜 | 集成高阻硅透镜 |
| 激发波长：800±40nm | 激发波长：1050±40nm |
| 封装XY二维调节架，调节范围±3mm | 封装XY二维调节架，调节范围±3mm |
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自由空间太赫兹探测天线（太赫兹光电导天线）
左图：封装有电流放大器的太赫兹探测天线，右图：探测天线电极结构
太赫兹光电导天线探测器参数规格
| LT-GaAs太赫兹光电导天线 | GaBiAs太赫兹光电导天线 |
| 激发功率：<50mW | 激发功率：<20mW |
| 集成预放大器 | 集成预放大器 |
| 集成高阻硅透镜 | 集成高阻硅透镜 |
| 探测太赫兹带宽：5THz@100fs激光脉宽 | 探测太赫兹带宽：5THz@70fs激光脉宽 |
| 太赫兹频谱峰值位置：500GHz | 太赫兹频谱峰值位置：500GHz |
| 激发波长：800±40nm | 激发波长：1060±40nm |
| 封装XY二维调节架，调节范围±3mm | 封装XY二维调节架，调节范围±3mm |
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Teravil太赫兹光电导天线结构图，该结构设计中高阻硅透镜的位置可以微调，从而可以调节输出或者接收太赫兹的光束位置。在实际搭建太赫兹时域光谱仪系统的过程中非常方便实用。
Teravil太赫兹光电导天线产品型号列表
| 型号 | 太赫兹发射天线 | 太赫兹接收天线 | ||
| EMT-08 | EMT-10 | DET-08 | DET-10 | |
| 太赫兹光电导天线 | ||||
| 光电导天线衬底材料 | LT-GaAs | GaBiAs | LT-GaAs | GaBiAs |
| 光电导天线尺寸 | 5 × 1.5 mm | |||
| 厚度 | 600 µm | |||
| 光电导天线类型 | 线条型 | 偶极型 | ||
| 偏置电压 | zui高50 V, 典型值40 V | ±12V | ||
| 太赫兹中心频率 | ~0.5THz | 0.5THz | ||
| 可探测太赫兹光谱宽度 | / | / | 高至5THz | |
| 集成高阻硅透镜 | ||||
| 材料 | 高阻抗硅材料HRFZ-Si | |||
| 透镜类型 | 超半球，半球透镜 | |||
| 太赫兹波输出 | 平行光，或者发散光（根据封装透镜的类型而定） | |||
| X-Y可调节范围 | ±3mm | |||
| 激发激光参数 | ||||
| 激发波长 | 800±40 nm | 1060±40 nm | 800±40 nm | 1060±40 nm |
| 平均功率 | <50 mW | <20 mW | <50 mW | <20 mW |
| 脉冲宽度 | <150 fs | |||
| 重复频率 | 20-100 MHz | |||
| 光束轮廓 | 高斯形光束 | |||
| 光束直径 | ~2mm | |||
型号列表
| 型号 | 描述 | |
| EMT-8 | 800nm太赫兹发射天线 | 封装硅透镜，配送同轴线BNC接头 |
| DET-8 | 800nm太赫兹接收天线 | 封装硅透镜，配送同轴线BNC接头 |
| DET-8-PAM | 800nm太赫兹接收天线内置前置放大器 | 封装硅透镜，配送同轴线BNC接头，内置前置放大器 |
| EMT-10 | 1060nm太赫兹发射天线 | 封装硅透镜，配送同轴线BNC接头 |
| EMT-10 | 1060nm太赫兹接收天线 | 封装硅透镜，配送同轴线BNC接头 |
| MNT | 太赫兹发射接收天线安装架 | 包含用于聚焦激发光的透镜，该透镜安装在一个XYZ三维调节架上 |
| TMS-100 | 偏置电压发生器 | 30-70V直流或方波电压 |
| PAM | 前置放大器（带电源） | 电压-电流转换器，10^6V/A增益 |
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