当前位置：江苏久益电力设备有限公司>>公司动态>>SK海力士跨向1ynm内存时代
SK海力士近日宣布，将在提高代10nm级工艺(1xnm) DRAM内存芯片产能的同时，今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片，并为下代内存做好准备。SK海力士1ynm工艺产品将是8Gb DDR4-3200芯片，号称相比1xnm工艺可将尺寸缩小20％，并将功耗降低15％。
此外，这颗新的芯片还具备四相时钟机制，有利于提高信号强度、维持高频稳定性，并支持感应放大控制技术(SAC)，有利于减少晶体管尺寸缩小时可能出现的数据错误。
有消息称，SK海力士还会用1ynm工艺制造DDR5、LPDDR5、GDDR6内存芯片，所以尽早部署并量产非常关键。
其实，SK海力士是内存三*中后一家大规模上1ynm工艺的，三星、美光去年就用上了。
请输入账号
请输入密码
请输验证码
以上信息由企业自行提供，信息内容的真实性、准确性和合法性由相关企业负责，仪表网对此不承担任何保证责任。
温馨提示：为规避购买风险，建议您在购买产品前务必确认供应商资质及产品质量。
