离子体增强化学气相沉积（PECVD）
技术指标:
气路：N2O, SiH4, NH3, CH4, O2, Ar, N2
清洗气路: CF4/O2混合气体
样品尺寸：8英寸table,可沉积大6英寸基片
控温范围： 室温至400℃
沉积材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等
型号：NRE-4000离子体增强化学气相沉积(PECVD)
厂家：美国Nanomaster公司
技术指标:离子体增强化学气相沉积(PECVD)
气路：N2O, SiH4, NH3, CH4, O2, Ar, N2
清洗气路: CF4/O2混合气体
样品尺寸：8英寸table,可沉积大6英寸基片
控温范围： 室温至400℃
沉积材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等
主要功能及应用范围：
PECVD系统可以借助微波或射频源使含有薄膜组成原子的气体在局部形成等离子体，利用等离子体的强化学活性发生反应，从而在基片上沉积出所期的薄膜，具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好等优点。可沉积氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等材料，能够实现对沉积厚度的精确控制，还可以通过改变反应气体组分在一定范围内调节沉积薄膜的折射率，可应用于微/纳结构中的抗腐蚀层、微纳电子器件中的绝缘层、薄膜太阳能电池等。
2016年1月21日，上海交通大学激光制造实验室迎十周年庆暨中德激光制造技术交流会在上海交通大学闵行校区举行。中国*部长万钢和德国教研部部长Johanna Wanka女士出席并致辞。**司副司长陈家昌，上海市科委主任寿子琪，上海交通大学校长张杰、常务副校长林忠钦等出席会议。上海交通大学副校长黄震主持活动。
