硅片是现代半导体行业*的基础材料，而在硅片的生产过程中会有许多的污染物质干扰产品的质量，所以半导体器件的生产硅片需要进行严格的清洗，通过清洗去除掉表面的污染杂质，包括有机物和无机物等，否则微量元素的污染会导致半导体器件失效。
多晶硅是由许多硅原子及许多小的晶粒组合而成的硅晶体。由于各个晶粒的排列方向彼此不同，其中有大量的缺陷。多晶硅一般呈深银灰色，不透明，具有金属光泽，性脆，常温下不活泼。
多晶硅是用金属硅(工业硅)经化学反应、提纯,再还原得到的高纯度材料(也叫还原硅)。目前世界上多晶硅生产的方法主要有改良西门子法(SiHCl3)、新硅烷法(SiH4)、SiH2Cl2热分解法、SiCl4法等多晶硅生产工艺。
对于消毒系统和清洗系统而言有四种类型：低pH值型、高pH值型、高温消毒型以及低浓度氧化消毒清洗型。单独的消毒清洗程序只针对淡水、浓水以及给水管线而言，消毒清洗的循环过程可以独立完成，独立的循环程序也可同时进行，从而减少总的使用时间。由于极水循环的低清洗流速，大多数情况下清洗过程必须同时与浓水循环清洗和淡水循环清洗同时进行。清洗水箱及水泵是*的(CIP系统)。总共需要五条清洗流水线：两个进口(淡水进口和浓水进口)以及三个出口(淡水出口，给水出口和浓水排放)。
工艺流程：
原水箱→原水提升泵→石英砂过滤器→活性炭过滤器→软水器→精密过滤器→一级高压泵→一级反渗透→级间水箱→二级高压泵→中间水箱→EDI提升泵→微孔过滤器→EDI系统→EDI水箱→抛光混床→用水点
设备特点：
1. 能耗低，水资源利用率高，设备运行成本得到了有效控制。
2. 设备全自动化微电脑控制，当运行过程出现故障时，会及时停止，且具有自动保护功能。
3. 膜组件部分是采用进口材料，表现出更高的溶质分离率和透过速率。
4. 设备整体化程度高，易于扩展，可以增加膜的过滤数量从而增加单位时间内的处理量。
5. 系统整体无易损部件，不会存在大量需要维修的情况，保障设备的*有效运行。
6. 结构搭配合理，减少设备使用的占地面积。
7. 设备可连续生产，卡扣式安装方式，维修维护快速便捷。
8. 出水水质稳定，设备的实用性设计强，便于日常使用。
9. 不需要处理废酸废碱，也不需要酸碱再生，*程度的节约日常运行成本。
执行标准：
GB6682-2000中国国家实验室用水GB6682-2000
GB/T 11446.7——1997 电子级水中痕量氯离子、硝酸根离子、磷酸根离子、硫酸根离子的离子色谱测试方法
GB/T 11446.5——1997 电子级水中痕量金属的原子吸收分光光度测试方法
GB/T 11446.3——1997 电子级水测试方法通则
GB/T 11446.6——1997 电子级水中二氧化硅的分光光度测试方法
GB/T 11446.4——l997 电子级水电阻率的测试方法
GB/T 11446.9——1997 电子级水中微粒的仪器测试方法
GB/T 11446.8——1997 电子级水中总有机碳的测试方法
JBT 7621-1994 电力半导体器件工艺用高纯水
ASTM D5127-2007美国电子和半导体水质标准
GBT11446.1-2013电子级超纯水中国国家标准
