通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。实施特性参数分析的工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高...

通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。实施特性参数分析的工具之一是半导体参数测试仪之数字源表（SMU）。普赛...

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，过程既复杂又耗时，还...

普赛斯半导体参数分析仪支持高电压+大电流集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下纳安级测...

半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极性晶体管(IGBT)等产品,半导体分立器...

直流3A半导体参数分析仪就找普赛斯仪表，S系列源表是普赛斯历时多年打造的高精度、大动态范围、数字触摸的帅先国产化的源表，集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z...

半导体特性曲线分析仪找武汉普赛斯仪表，普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高...

半导体器件特性曲线扫描仪认准生产厂家武汉普赛斯仪表，普赛斯仪表专注于半导体电性能测试领域，基于高精度数字源表综合实验平台，可提供多种实验测量环境，搭配丰富的测试...

半导体分立器件测试仪+IV曲线扫描认准武汉普赛斯仪表，普赛斯是国内生产源表的厂家，产品系列丰富：产品覆盖不同的电压、电流范围，产品已经过了市场的考验、市面有近5...

IGBT静态参数主要包含:栅极-发射极阈值电压VGE(th)、栅极-发射极漏电流lGEs、集电极-发射极截止电流lcEs、集电极-发射极饱和电压VcE(sat)...

普赛斯半导体功率器件分析仪集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参...

SiC|GaN第三代半导体静态参数测试系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设...

功率器件静态参数测试系统3500V/4000A集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流...

大功率IGBT静态参数测试仪集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。

功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可...

半导体材料IV扫描仪器仪表支持四象限工作，源和负载，电压及电流范围广，电流100pA~1A，电压0.3mV~300V，准确度为0.1%；

IGBT模组动态参数测试仪器具有输出及测量电压高（3000V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在D一象限，输出及测量电压0~3000V，输出...

IGBT器件静态参数测试仪器具有输出及测量电压高（3000V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在D一象限，输出及测量电压0~3000V，输出...

微纳器件电性能测试用数字源表认准普赛斯仪表，国产自主研发，*！性价比高，测试范围更广，输出电压高达300V，支持USB存储，一键导出报告，符合大环境下国内技术自...

整流桥堆高电流脉冲电源具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（10uS）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出极性切换等特点。设备可应用于肖特基二极管、...