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ISSPSHFA单晶制备炉由温度控制系统、真空系统和单晶炉炉体等部分组成，是为高等院校和科研院所单晶生产而研制的专用设备。ISSPSHFA单晶炉可开设的实验：制备金属氧化物类单晶；制备氧化物高温超导体；制备非氧化物单晶；进行单晶生长、材料热处理、固相反应材料合成等。ISSPSHFA单晶炉.ISSPSHFA单晶炉.单晶制备炉.ISSPSHFA单晶制备炉.ISSPSHFA单晶制备炉
ISSPSHFA单晶制备炉
| 概述： |
| ISSPSHFA单晶制备炉由温度控制系统、真空系统和单晶炉炉体等部分组成，是为高等院校和科研院所单晶生产而研制的专用设备。 可开设的实验： 1、制备金属氧化物类单晶，如SrMoO3； 2、制备氧化物高温超导体，如钇钡铜氧等； 3、制备非氧化物单晶，如单晶硅、单晶碳化硅等； 4、在1550℃以下大气、真空或气氛保护下进行单晶生长、材料热处理、固相反应材料合成等。 |
| 主要技术特点： |
| ◆一机多用，可开设多个综合性、研究性实验：既可制备氧化物类单晶，又可制备非氧化物类或厌氧类单晶，具有很高的性能价格比； ◆采用特殊的做炉膛保温材料，具有密度小，保温性能好等特点； ◆采用抽真空结合保护气氛，既可以抽真空，又可以通入不同的气体； ◆*高温度可达1550℃； ◆温度梯度：约5℃/cm； ◆温度采用程序控制，实现智能化。 |
| 主要技术参数及性能： |
| 1、电源：AC220V，50/60Hz； 2、额定功率：5kW； 3、炉膛尺寸：φ185mm×φ185mm； 4、加热区尺寸：150mm； 5、温度控制范围：100~1600℃，控制精度：±1℃，升温速率：10℃/min； 6、报警保护：上、下限，正、负偏差，断偶等报警； 7、质量：约50kg。 |
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