在半导体里面表示压强的单位分别有哪些，有什么区别呢？

在实际的应用中，我们所说的压力常常指压强，压力传感器实际测的是压强，真空压力指的也是压强。那么在半导体里面，表示压强的单位分别有哪些，有什么区别呢？

帕 Pa

国际标准压强单位，也是应用广泛的压强单位。这个单位是为纪念法国数学家、物理学家兼哲学家布莱士·帕斯卡（Blaise Pascal ）而命名。1Pa相当于1N/m2。引出的有百帕hPa，千帕kPa，兆帕MPa等。在半导体设备中，有部分国产设备采用Pa来表示真空度。

巴 Bar

工程常用单位，1bar相当于100000Pa。因为测量大气压引出，规定一个大气压是1Bar，即每平方厘米受到1公斤的大气压力为1巴。也可引出毫巴等单位。在常常用在半导体设备中表示真空度，高真空（highvacuum，HV）一般定义为 >1E-7mbar。

托 Torr

托的命名是为了纪念意大利物理学家托里拆利(EvangelistaTorricelli)，他的首要发明是水银气压计。用汞柱表示，1Torr是指“将细直管内的水银顶高一毫米之压力"，相当于760mm汞柱的压力，值是大气压力的 1/760 。在半导体镀膜、刻蚀设备中，常用Torr表示真空度，如5E-5Torr。

PSI

用单位面积英寸上的镑来表示压强，美国习惯使用psi作单位，意为磅力/平方英寸，是一个英制单位。在半导体设备中不太能看到psi表示真空度，在MEMS压力传感器和控制器中，psi常常作为压强单位出现表示气压或者油压的大小，特别是美国的器件中。

atm

标准大气压，相当于101325Pa。因为测量大气压引出，规定一个大气压是1atm，一般只用于表示大气压强。

在半导体设备中，压强单位常常表示真空度，这里给出常见的真空的划分及应用：

粗真空（负压）：10E5~10E2Pa，用于真空干燥和浸渍；

低真空：10E2~10E-1Pa，用于热处理和低压化学沉积；

高真空：10E-1~10E-6Pa，用于真空键合、物理气相镀膜和刻蚀等；

超高真空：＜10E-6Pa，用于表面分析，MBE等特殊镀膜设备。