天津瑞利光电科技有限公司

日本ALNAIR硅晶圆厚度传感器原理介绍

时间:2021-1-6阅读:188

产品介绍
用于硅晶片的全光学非接触式厚度传感器
高动态范围,能够测量混乱的表面
能够在湿蚀刻过程中进行原位测量
SIT-200使用高速扫频可调激光器(而不是宽带光源)来探测被测晶片。这样就可以对每个波长进行更高功率的测量,从而实现高动态范围。即使在未抛光的晶片上,例如在湿蚀刻期间/之后,也可以进行厚度测量。硅晶圆厚度传感器由准确调谐的波长扫描激光源,聚焦传感器和光接收器(PD)构成。波长扫描光聚焦在目标上,并且在通过传感器后,PD会检测到从目标表面反射回来的干涉图样。
产品参数
测量对象:硅片
可测厚度:10~500(n = 3.5)μm
光源:波长扫描激光源
(1515~1585)nm
光输出功率:0.6,激光等级1 mW
引导光源:红色LD,激光等级1M
测量时间:min.20 ms
重复性:小于0.1(3σ)μm
监控输出:干扰信号(电气)
PC接口:以太网
电源:AC 100-240(50/60 Hz)V
尺寸(宽x高x深):364 x 147 x 391 mm
重量:9.0 kg

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