全球半导体材料出现了三次突破性的发展进程

经过60多年的发展，全球半导体材料出现了三次突破性的发展进程。第一代半导体材料Si和Ge奠定了计算机、网络和自动化技术发展的基础，第二代半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)奠定了信息技术的发展基础。

目前正在快速发展的第三代半导体材料碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)、氮化铝(AlN)、金刚石(C)等，主要面向新一代电力电子、微波射频和光电子应用，在新一代移动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子、新一代显示等领域有广阔的应用前景，成为全球半导体产业发展新的战略高地。

我国的半导体材料和器件，长期依赖进口，其中高性能芯片*依赖进口，受制于人的问题突出。除芯片设计与制造能力薄弱外，半导体单晶硅和大量辅助材料的国产化水平不足，进口依赖程度较高，如在电子气体、光刻胶和抛光材料等3种典型辅助材料领域，国内企业生产的产品*分别仅占30%、10%、10%，亟需提升我国半导体关键原辅材料的自主保障能力。

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