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III-V族外延晶片

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更新时间：2022-10-19 18:19:25浏览次数：199次

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VCSEL外延晶圆(Epi-Wafer)

III-V族外延晶圆生长

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深圳市唯锐科技有限公司

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产品简介

III-V族外延晶片

详细介绍

产品介绍

VIGO的ENT外延部门生产III-V(GaAs-，InP-)相关的半导体化合物，在外延方面有35年的经验，并且能够根据客户需求提供定制服务。VIGO利用MOCVD外延技术制备了二元、三元、四元和五元三-五元化合物半导体的原子工程外延层，具有德国柏林厂商Laytec的监控生产系统，拥有水平层流反应器，进行基片载流子的多次旋转产品。这条新产品线扩展了VIGO公司的产品组合，为各种微电子和光子应用提供外延服务，下游的应用包含三极管，二极管，激光器，探测器等。具有以下特点：

外延纳米技术，超越单一技术解决方案
大规模生产或小批量制造，提供多类优质外延片
生产的高级III-V族化合物半导体外延结构，被广泛运用于光子设备（F-P、VCSEL、QCL激光器、光电探测器）、微电子设备（二极管、晶体管）
聚焦无线、电信、传感或打印领域的高度创新型产品，可提供全面的研发服务。

主要特点

超高纯度
精确控制厚度在±1nm
优秀的均匀性
重现性
可外延尺寸 2, 3, 4，8英寸

产品性能

XRD曲线：

产品纯度一致性：

表面粗糙度：

量子井：

产品应用

半导体类型：

场效应晶体管，被动器件，高迁移率晶体管
EEL,SOAs1300-1600 nm,VCSELs(例850nm),DBR,QuantumDots
LED(550nm to infrared) ,Microwave ,Schottky,High-Brightness
InGaAs, AlGaAs探测器,SWIR, LWIR

外延晶圆类型：

GaA based – GaAs,AlxGa1-xAs,InxGa1-xAs,In1-(y+z)GayAlzAs,In0.5(Ga1-xAlx)0.5P
InP based – InP,In0.53Ga0.47As,In0.52Al0.48As,InxGa1-xAsyP1-y,(AlxGa1-x )InyP1-y

GAAS BASED PRODUCTS		INP BASED PRODUCTS
AlGaAs/GaAs	QW edge emitting lasers VCSELs FETs, HEMTs, Schottky diodes varactors	InGaAsP/InP	strained or matched QW edge emitting lasers and SOAs 1300 – 1600nm
GaAsP/GaAs	strained QW edge emitting lasers	InGaAs/InP	QW edge emitting lasers
InGaAsP/GaAs	QW lasers 808nm	InGaAsP/InP	VCSEL structures
InGaAs/AlGaAs/GaAs	strained QW lasers	InAlGaAs/InP	edge emitting and VCSEL structures
InAs/GaAs	QD lasers	InGaAsP/InP	passive devices
AlGaAs/GaAs	passive waveguides	InGaAs	photodetectors
Manufactured to specification		InAlAs/InGaAs/InP	HEMTs
Manufactured to specification		Manufactured to specification