BJ2988A 晶体管正偏二次击穿及瞬态热阻测试仪
晶体管的极限参数
晶体管所能承受的电压、功率耗散以及所通过的电流都是有一定限度的，当其超过额定值时，轻则影响晶体管的工作性能，严重时将使其损坏。以下介绍晶体管的主要极限参数。
1.集电极zui大允许耗散功率Pcm
Pcm是指晶体管因温度升高引起参数的变化不超过规定值时，集电极所消耗的zui大功率。 晶体管在正常工作时，集电结加的是反向偏置电压，集电结的反向电阻很高，这样，集电极电流流过集电结时就要产生大量的热量，结温就会升高，若温度过高，将导致晶体管不可逆转的损坏。人们根据晶体管zui高允许结温定出zui大允许耗散功率。为了降低结温，对于大功率晶体管，人们往往要另设散热片，散热片表面积越大，散热效果越好，晶体管的Pcm就可以适当提高。
2.集电极zui大允许电流Icm
集电极电流增大，会导致晶体管的电流放大倍数β下降，当β降至低频电流放大倍数βo的额定倍数（通常规定为二分之一或三分之一）时，此时的集电极电流称为集电极zui大允许电流Icm。因此，当晶体管的集电极电流达到Icm时，晶体管虽不致损坏，但电流放大倍数已大幅度下降。
3.集电极--发射极击穿电压BVCEO
BVCEO是指晶体管基极开路时，加在晶体管集电极与发射极之间的zui大允许电压。对于NPN型晶体管而言，集电极接电源的正极，发射极接电源的负极；对于PNP型晶体管而言，集电极接电源的负极，发射极接电源的正极。
当加在晶体管集电极与发射极之间的电压大于BVCEO的值时，流过晶体管的电流会突然增大，导致晶体管*性损坏，这种现象称为击穿。
产品特点：
BJ2988A型晶体管正偏二次击穿及瞬态热阻测试仪可以同时进行瞬态热阻及正偏二次击
穿的一次性检测。两种参数放在同一台仪器上检测是为了满足军用功率晶体管实际检测的需
要，是军用功率晶体管zui快速筛选测试（用几十分钟的参数测试取代168小时满功率老化）
及贯彻国军标所必需的测试仪器。这种参数测试仪不但解决了测试中的烧管问题，也可直接
进行正偏二次击穿功率的检测。本仪器的配套电源为本厂生产的WD-9型晶体管稳压电源。
BJ2988A 晶体管正偏二次击穿及瞬态热阻测试仪技术指标：
（1） 测试功率：0~750W
（2） 集电极—发射极电压VCE：0~300V±2%
（3） 发射极电流IE：0~5A ±2%
（4） M数字表：0~ —4.00mV / ℃ ±3%
（5） △VBE数字表：0~999 mV ±3%
（6） 脉宽τ：1mS~1000S（分七档）
脉宽扩展：τ×1、τ×2、τ×5
