安华捷电子（深圳）有限公司
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GMR技术在单个硅集成电路上集成了高灵敏度MR（磁阻）传感器元件和高精度BiCMOS电路
GMR 技术在单个硅集成电路上集成了高灵敏度 MR（磁阻）传感器元件和高精度 BiCMOS 电路，可提供高精度、低磁场操作
采用单包覆微型封装的集成电容器提供更好的 EMC 稳定性
SolidSpeed 数字架构™支持高级数字处理，可以在出现系统级干扰的情况下提供高度精确的边缘性能
兼容方向，方便更换霍尔传感器
双线电流源输出，支持速度协议
EEPROM 在整个生产过程中提供器件的可追溯性
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