详细摘要: BSS169H6327是一款采用紧凑型SOT-23-3封装的N沟道小信号MOSFET。它设计用于低功率应用,其主要性能参数包括:100V的漏源击穿电压,170m...
产品型号:BSS169H6327所在地:厦门市更新时间:2025-09-30 在线留言欧械(厦门)科技研究院(有限合伙)
详细摘要: BSS169H6327是一款采用紧凑型SOT-23-3封装的N沟道小信号MOSFET。它设计用于低功率应用,其主要性能参数包括:100V的漏源击穿电压,170m...
产品型号:BSS169H6327所在地:厦门市更新时间:2025-09-30 在线留言详细摘要: BSS131H6327 是一款采用SOT-23-3封装的N沟道增强型MOSFET,适用于小信号应用。其主要特点包括:漏源电压(Vds) 高达240V,连续漏极电...
产品型号:BSS131H6327所在地:厦门市更新时间:2025-09-30 在线留言详细摘要: BSC0906NS是一款N沟道逻辑电平门功率MOSFET,属于OptiMOS™ 30V产品系列。它采用紧凑的PG-TDSON-8封装...
产品型号:BSS83PH6327所在地:厦门市更新时间:2025-09-30 在线留言详细摘要: BSC0906NS是一款N沟道逻辑电平门功率MOSFET,属于OptiMOS™ 30V产品系列。它采用紧凑的PG-TDSON-8封装,具备30V的漏...
产品型号:BSC0906NS所在地:厦门市更新时间:2025-09-30 在线留言详细摘要: BSC0906NS是一款N沟道逻辑电平门功率MOSFET,属于OptiMOS™ 30V产品系列。它采用紧凑的PG-TDSON-8封装,具备30V的漏...
产品型号:BSC0906NS所在地:厦门市更新时间:2025-09-30 在线留言详细摘要: BSC0805LS的N沟道功率MOSFET,属于OptiMOS™ 5系列,采用TDSON-8封装。其主要性能参数包括:100V的漏源电压和79A的连...
产品型号:BSC0805LS所在地:厦门市更新时间:2025-09-30 在线留言详细摘要: BSC030N08NS5 是一款采用 OptiMOS™ 5 技术的 N 沟道功率 MOSFET ,其主要设计用于高效的电能转换 。这款 MOSFET...
产品型号:BSC030N08NS5所在地:厦门市更新时间:2025-09-30 在线留言详细摘要: BSC040N10NS5 是一款N沟道功率MOSFET,属于其OptiMOS™ 5系列。其主要技术特点包括:漏源电压(Vdss)为100V,连续漏极...
产品型号:BSC040N10NS5所在地:厦门市更新时间:2025-09-30 在线留言详细摘要: BSC057N08NS3G 是一款采用PG-TDSON-8封装的N沟道功率MOSFET,属于OptiMOS™系列。其主要技术特点包括:80V的漏源电...
产品型号:BSC057N08NS3G所在地:厦门市更新时间:2025-09-30 在线留言详细摘要: 英飞凌 BSC070N10NS3G 是 OptiMOS 3 系列 N 沟道功率 MOSFET,采用 PG-TDSON-8 封装,漏源极击穿电压 100V,25℃...
产品型号:BSC070N10NS3G所在地:厦门市更新时间:2025-09-30 在线留言详细摘要: BSC070N10NS5 是 OptiMOS™ 5 系列 N 沟道功率 MOSFET,采用 PG-TDSON-8 封装,漏源极击穿电压 100V,连...
产品型号:BSC070N10NS5所在地:厦门市更新时间:2025-09-30 在线留言详细摘要: Infineon(英飞凌)的BSC190N15NS3G是一款N沟道功率MOSFET,属于其OptiMOS™ 3系列。它采用紧凑的TDSON-8封装,...
产品型号:BSC190N15NS3G所在地:厦门市更新时间:2025-09-30 在线留言详细摘要: Infineon(英飞凌)的BSC190N15NS3G是一款N沟道功率MOSFET,属于其OptiMOS™ 3系列。它采用紧凑的TDSON-8封装,...
产品型号:BSC320N20NS3G所在地:厦门市更新时间:2025-09-30 在线留言详细摘要: BSC0702LS是一款高性能的N沟道功率MOSFET,采用紧凑的PG-TDSON-8表面贴装封装。其主要规格包括60V的漏源电压(Vdss)和高达100A的连...
产品型号:BSC0702LS所在地:厦门市更新时间:2025-09-30 在线留言详细摘要: BSC0802LSATMA1是一款N沟道功率MOSFET,采用OptiMOS™ 5技术。其主要规格包括:100V的漏源电压(Vdss),在Tc条件下...
产品型号:BSC0802LSATMA1所在地:厦门市更新时间:2025-09-30 在线留言详细摘要: BSC030N03LSGATMA1是一款采用TDSON-8封装的N沟道功率MOSFET,属于其OptiMOS™ 3系列产品。它在30V的漏源电压(V...
产品型号:BSC030N03LSGATMA1所在地:厦门市更新时间:2025-09-30 在线留言详细摘要: 英飞凌(Infineon)芯片型号BSC014N04LS是一款N沟道逻辑电平功率MOSFET,属于OptiMOS™系列产品。其主要技术特点包括:40...
产品型号:BSC014N04LS所在地:厦门市更新时间:2025-09-29 在线留言详细摘要: Infineon(英飞凌)的BGA725L6E6327是一款专为导航卫星系统(GNSS)设计的硅锗(SiGe)低噪声放大器(LNA)集成电路。该芯片工作在1.5...
产品型号:BGA 725L6 E6327所在地:厦门市更新时间:2025-09-29 在线留言详细摘要: Infineon(英飞凌)的BFP650H6327(完整型号常标注为BFP650H6327XTSA1)是一款采用硅锗材料技术的NPN型射频双极性晶体管(RF B...
产品型号:BGA 524N6 E6327所在地:厦门市更新时间:2025-09-29 在线留言详细摘要: Infineon(英飞凌)的BFP650H6327(完整型号常标注为BFP650H6327XTSA1)是一款采用硅锗材料技术的NPN型射频双极性晶体管(RF B...
产品型号:BFP650H6327所在地:厦门市更新时间:2025-09-29 在线留言您感兴趣的产品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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