18030056910
当前位置：厦门宇电自动化科技有限公司>>技术文章>>半导体行业碳化硅长晶炉应用案例
物理气相传输法（PVT）是制备碳化硅（SiC）晶体的主流方法之一，PVT法生长SiC单晶，温度高达2300℃，生长过程需严格控制生长温度梯度，其温度控制系统为闭环控制，由红外测温仪、温控器、加热电源以及加热器（感应线圈）组成。
系统框图：
宇电AI系列人工智能调节器
1、AI-8x9系列
2、AI-MODBUS-TCP1-24VDC
成功应用于国内某半导体装备制造头部企业碳化硅长晶炉，该系统温度的精确控制，仪表兼容多类型输入/输出规格，具备可调的控制周期及报警功能，通讯兼容RS485及RS232，且可匹配外部TCP模块实现MODBUS-TCP便捷通讯。
温度控制效果：
温度控制效果：温度波动≤±0.5℃@2200℃，温度超调、稳定时间等指标均与英国竞品水平相当，经终端客户验证，可平替国外竞品，成功实现国产替代。
请输入账号
请输入密码
请输验证码
以上信息由企业自行提供，信息内容的真实性、准确性和合法性由相关企业负责，仪表网对此不承担任何保证责任。
温馨提示：为规避购买风险，建议您在购买产品前务必确认供应商资质及产品质量。
