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传感器的基本物理效应

时间:2011-9-23阅读:1134
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检测
对象类型所利用的效应输出
信号传感器或敏感元件举例主要材料
光量子型光电导效应电阻光敏电阻可见光:CdS, CdSe
红外:PbS, InSb
光生伏应电流光敏二极管、光敏三极管、光电池Si, Ge, InSb(红外)
电压肖特基光敏二极管Pt-Si
光电子发射效应电流光电管、光电倍增管Ag-O-Cs, Cs-Sb
约瑟夫逊效应电压红外传感器超导体
热型热释电效应电荷红外传感器、红外摄像管BaTiO3


量电阻式电阻应变效应电阻金属应变片、半导体应变片康铜,卡码合金,Si
压阻效应硅杯式扩散型压力传感器Si, Ge, GaP, InSb
压电式压电效应电压压电元件石英,压电陶瓷,PVDF
正、逆压电效应频率声表面波传感器石英,ZnO+Si
压磁式压磁效应感抗压磁元件;力、扭矩、转矩传感器硅钢片,铁氧体,坡莫合金
磁电式霍尔效应电压霍尔元件;力、压力、位移传感器Si, Ge, GaAs, InAs
光电式光电效应电流各种光电元件;位移、振动、转速传感器CdS, InSb, Se-化合物
光弹性效应折射率压力、振动传感器各种透光弹性材料

度热电式赛贝克效应电压温差电偶Pt-PtRh10,NiCr-NiCu,Fe-NiCu
约瑟夫逊效应噪声
电压温度计超导体
热电效应电荷驻极体温敏元件PbTiO3, PVF2, LiTaO3
压电式正、逆压电效应频率声表面波温度传感器石英
热 型热磁效应电场Nernst 红外探测器热敏铁氧体,磁钢
磁磁电式霍尔效应电压霍尔元件Si,Ge,GaAS,InAs
霍尔IC、MOS霍尔ICSi
磁阻效应电阻磁阻元件Ni-Co合金,InSb,InAs
电流二极管、磁敏晶体管Ge
约瑟夫逊效应电流超导量子干涉器件(SQUID)Pb,Sn,Nb,Nb-Ti
光电式磁光法拉第效应偏振光
面偏转光纤传感器YIG, EuO, MnBi
磁光克尔效应MnBi


线光电式放射线效应光强光纤射线传感器Ti-石英
量子型P- N结
光生伏应电脉冲射线敏二极管
二极管Si, Ge
Li-Ge, Si, HgI2
肖特基效应电流肖特基二极管Au-Si
 

http://  (隔离器)              :   
    http://(压力仪表系列)
    http://jsmt17.com (电源箱)   
    http://mt-saic.com(V锥形流量计)
    http://jhmtyb.com(温度仪表系列)          
                                              

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