长春市海洋光电有限公司
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薄层Ga2O3氧化镓外延片 详细内容 氧化镓是新一代功率半导体和深紫外光电子半导体材料，其禁带宽度为4.9eV，远远大于氮化镓（3.3eV）、碳化硅（3.4eV）和硅（1.1eV）的禁带宽度
详细内容
氧化镓是新一代功率半导体和深紫外光电子半导体材料，其禁带宽度为4.9eV，远远大于氮化镓（3.3eV）、碳化硅（3.4eV）和硅（1.1eV）的禁带宽度。在功率半导体方面，氧化镓的击穿电场强度是硅的20多倍，是碳化硅和氮化家的2倍多，氧化镓的击穿电场强度可达8MV/cm。 由于氧化镓在诸多领域的重要应用价值,氧化镓材料和器件的研究与应用，已成为当前研究与开发的热点和重点。为此，我们提供薄层Ga2O3外延片和相应的的Ga2O3单晶衬底。
主要参数指标：
外延层 | 参数指标 | |
掺杂剂 | Si (n-型) | 未掺杂(半绝缘) |
掺杂浓度 | 可在5x1016和 2x1018 cm-3之间的数值 | - |
外延层厚度 | 在0.1和0.5μm范围之间的数值 | |
外延片衬底 | 参数指标 | |
掺杂剂 | Sn (n-型) | Fe(半绝缘) |
掺杂浓度 | 1~9x1018 cm-3 | - |
电阻率 | - | ≧1010 Ωcm |
晶面 | (010) | |
尺寸 | 10x15 mm2 | |
厚度 | 0.5 mm | |
XRD FWHM | ≦150 arcsec | |
偏离角度 | 0°±1° | |
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