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Ga2O3 (010)面生长的(AlxGa1-x)2O3外延片

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更新时间：2023-11-20 09:52:00浏览次数：67次

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长春市海洋光电有限公司

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产品简介

Ga2O3(010)面生长的(AlxGa1-x)2O3外延片　　详细内容　　氧化镓是新一代功率半导体和深紫外光电子半导体材料，其禁带宽度为4.9eV，远远大于氮化镓（3.3eV）、碳化硅（3.4eV）和硅（1.1eV）的禁带宽度

详细介绍

Ga2O3 (010)面生长的(AlxGa1-x)2O3外延片

　　详细内容

　　氧化镓是新一代功率半导体和深紫外光电子半导体材料，其禁带宽度为4.9eV，远远大于氮化镓（3.3eV）、碳化硅（3.4eV）和硅（1.1eV）的禁带宽度。在功率半导体方面，氧化镓的击穿电场强度是硅的20多倍，是碳化硅和氮化家的2倍多，氧化镓的击穿电场强度可达8MV/cm。由于氧化镓在诸多领域的重要应用价值,氧化镓材料和器件的研究与应用，已成为当前研究与开发的热点和重点。为此，我们提供(AlxGa1-x)2O3外延片和相应的的Ga2O3单晶衬底。

主要参数指标：

外延层	参数指标
Al的摩尔分数	x≦0.23
掺杂剂	Si (n-型)
掺杂浓度	≦1x10¹⁸ cm^-3
外延层厚度	≦60 nm
外延片衬底	参数指标
掺杂剂	Sn (n-型)	Fe(半绝缘)
掺杂浓度	1~9x10¹⁸ cm^-3	-
电阻率	-	≧10¹⁰ Ωcm
晶面	(010)
尺寸	10x15 mm²
厚度	0.5 mm
XRD FWHM	≦150 arcsec
偏离角度	0°±1°