JGK-3高精密光刻机 返回列表页

JGK-3高精密光刻机

本机是制造中、大规模集成电路，传感器，表面波元件，磁泡，微波和CCD等器件的重要光刻设备。

主要技术参数：

1、适用掩模尺寸：①150×150×2.3mm ②125×125×2.3mm ③100×100×2.3（选购）

2、适用的硅片尺寸：①Φ125mm　②Φ100mm　③Φ75mm（选购）

3、曝光分辨率：2um，细调可达1um.

4、掩模与硅片之间的相对位移范围：X、Y±5mm，θ±5°

5、掩模旋转范围：±5°

6、承片台的球座平面至掩模板面微调范围：0～1mm

7、曝光灯源：200W超高压直流汞灯

8、曝光谱线：436、405、365（nm）

9、曝光系统能量不低于：18mw/cm2

10、曝光系统的照度均匀度：Φ110mm范围内±3%；Φ136mm范围内±5%

11、显微镜的照明波长：≈545nm

12、曝光时间控制范围：0～99.99S

13、双目分离视场显微镜的放大倍数：①目镜共二种：10X,15X　②平视场物镜共三种：4X,10X,16X　③合成放大倍率：40X-240X

14、分离视场调节范围：30～80mm

15、真空接触压力：≤-0.06Mpa

16、供电电源：AC220V±10% 50HZ

17、环境温度：22±2°C

18、相对温度：≤60%

19、净化等级：100级

20、外形尺寸：W960×D1000×H1400mm