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Yaskawa CACR-HR30UB* CACR-HR30UB

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更新时间:2018-05-14 09:00:00浏览次数:245次

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Yaskawa CACR-HR30UB

Yaskawa CACR-HR30UB锁定汽车应用市场的晶片业者都清楚知道,下一代微控制器(MCU)的战场是内建 40奈米高速存取快闪记忆体的高性能产品;而到目前为止,有两家主要关键厂商正面临战火──瑞萨电子(Renesas)的40奈米快闪记忆体技术,以及同样为40奈米的Spansion嵌入式电荷撷取(Charge Trap,eCT)技术。

  现今汽车内含有数以百计的 MCU ,Yaskawa CACR-HR30UB以监视、处理、控制诸如驾驶、转向、煞车等关键任务,也提供安全与舒适等功能。对汽车电子控制单元应用的MCU来说,具备大容量的内建快闪记忆体是很基本的,因为它们必须储存越来越大量的控制演算法与应用程式码;更重要的是晶片上快闪记忆体的速度,如果太慢,MCU的高速逻辑电路就无法充分发挥性能。

  那些打算竞逐高性能*MCU市场、却缺乏自家快闪记忆技术的供应商,通常会面临几个问题:该用哪一种快速存取快闪记忆体技术?谁有那种技术?哪里有晶圆代工厂?然后他们可能会有另一个问题:如何把这些事情完成,又不卷进Spansion与瑞萨可能发生的IP大战?──这两家公司的嵌入式快闪记忆体IP大战还没真的开打,只是烟硝味很浓。

  先发制人?

  Spansion策略联盟暨业务开发副总裁Ali Pourkeramati不久前接受访问时指出,瑞萨的eFlash微控制器技术有可能侵犯Spansion的eCT技术;?Spansion?现在把矛头指向“在未取得共识的情况下滥用其技术”的所有记忆体与系统厂商。

  据了解,Yaskawa CACR-HR30UBzui近已经对多家记忆体同业与非记忆体终端业者发出该公司将提出侵权诉讼的警告信(参考连结)。这有一部分是Spansion强化其自有IP的策略,但Pourkeramati对于IP侵权的警告,也可能只是先发制人,为的只是让那些有意采用瑞萨eFlash技术的厂商打退堂鼓。

  不过针对此事,瑞萨在东京的发言人表示,该公司并没有接到Spsansion的任何讯息;EETimes美国版编辑向Pourkeramati 确认时,他也说瑞萨并不在警告信收件名单内。因为缺乏进一步的证据,很难预测快闪记忆体MCU大战何时会开打。

  eCT vs. eFlash

  有两个议题预示了某种程度的冲突,其一是两家公司技术的差异性程度,其二是目前他们的技术/产品开发进展。

  Yaskawa CACR-HR30UB的嵌入式处理器暨车用半导体市场*分析师Tom Hackenberg表示,Spansion与瑞萨的技术“非常类似”,但该机构所取得的资讯还不足以评论这两家的技术是否近似到可能达成侵权的状况:“他们的相似之处在于,两者都对于通常应用在嵌入式MCU的更成熟的NOR快闪记忆体技术做了一些类似的设计改善。”

 Yaskawa CACR-HR30UB指出,两家公司的产品的新设计都采用非常薄的三层结构(绝缘层-带电层-绝缘层),以减少电流泄漏(如此能让整个记忆体晶片更具省电效益),特别是当记忆体单元在关闭模式,闸极中的电荷是0V。不过它们的闸极交错结构仍有一些不同之处,瑞萨包含了一些看来能在故障发生时减少错误的分离式闸极(split gate)设计。


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