Yaskawa CACR-HR30UBY23。 CACR-HR30UBY23 返回列表页

Hackenberg指出，两家公司的产品的新设计都采用非常薄的三层结构（绝缘层-带电层-绝缘层），以减少电流泄漏（如此能让整个记忆体晶片更具省电效益），特别是当记忆体单元在关闭模式，闸极中的电荷是0V。不过它们的闸极交错结构仍有一些不同之处，瑞萨包含了一些看来能在故障发生时减少错误的分离式闸极（split gate）设计。

　　两者的zui后成果带来了相似的整体逻辑IC读/写速度与省电效能改善，两者的设计与传统设计相较也更具可微缩性（主要是因为CACR-HR30UBY23传统设计随着制程不断微缩，泄漏电流也快速增加）；使得进入40奈米制程能进一步改善速度与省电效益。

　　瑞萨的 eFlash 采用自家开发的记忆体单元技术MONOS （metal oxide nitride oxide silicon），该快闪记忆体单元内的每个电晶体都是采用氧-氮-氧三层架构，以矽晶为基础，顶部有一个金属闸极。而Spansion的电荷撷取技术，则是应用自家的MirrorBit快闪记忆体技术。

　　CACR-HR30UBY23电荷撷取技术与传统的浮动闸极MOSFET技术不同之处，是后者采用氮化矽薄膜来储存电子，而MirrorBit记忆体单元不只是采用电荷撷取层来取代传统的浮动闸，也利用了电荷储存氮化物不会导电的特性，让两个位元能共享同一个记忆体单元。

　　瑞萨的分离式闸极记忆体单元设计具备快速、低耗电特性

　　CACR-HR30UBY23为了让各自的技术更适用于嵌入式快闪记忆体MCU，两家公司都开发了新的闸极架构；瑞萨的分离式闸极结构是将闸极分为两部分，其中之一用以支援记忆体单元选择（memory-cell select）功能，另一部分则是用以储存资料；选择闸极通常是关闭（在关闭状态下的耗电为0），而记忆体闸极则通常是开启。

　　Spansion采用MirrorBit记忆体单元作为eCT的基础，不过为eCT单元内的记忆体闸搭配一个低电压选择闸极。Pourkeramati表示，eCT技术与传统的MirrorBit技术稍有不同，因为前者仰赖每个记忆体单元内的单个位元而非两个，因此在读取速度与耗电方面具备优势。氮化物电荷储存材料与编程/抹除eCT记忆体单元的物理特性基本上是相同的。

　　Spansion 的电荷撷取技术能达到更小巧的储存单元

　　根据Spansion表示，新的记忆体单元构造能提供超快的读取速度，并强化编程与抹除性能；该公司宣称，其随机存取时间在5~10ns左右，并表示eCT快闪记忆体对于高阶微控制器应用是非常理想的选择。

　　CACR-HR30UBY23产品开发时程

　　瑞萨已利用其40奈米嵌入式快闪记忆体技术与台积电（TSMC）合作，开发可*给其他半导体厂商的嵌入式快闪记忆体MCU平台；该公司发言人表示，这种新的eFlash MCU平台还仍在开发中，而问世时间表目前尚无法透露。当被问到是否已经有人取得eFlash MCU平台*时，该发言人婉拒回答，并表示可能会涉及其他公司的利益。

　　因为收购富士通半导体（Fujitsu Semiconductor）的MCU部门而成为MCU供应商的Spansion，则打算在2015年推出采用eCT技术为基础的微控制器产品，该公司已经将eCT技术*给晶圆代工厂联电（UMC）。Pourkeramati表示eCT可开放*给其他晶片厂商，不过对该技术有兴趣的要先找Spansion洽商，而且产品需要在联电生产。

　　针对40奈米制程快闪记忆体MCU市场，IHS的Hackenberg 表示，CACR-HR30UBY23市面上大多数的MCU仍是以90~130奈米制程生产，而瑞萨与Spansion采用的制程很新，在MCU市场上的占有率仍然很小：“因为如此，针对这两家公司的下一代新产品定价或是市场竞争情况的预测，目前仍是不切实际的。”

Watch this item
NIB HONEYWELL RECITIFICATION AMPLIFIER R7247C 1001 
Location: USA

Watch this item
HONEYWELL TC-IDA161 NSPP TCIDA161
Location: USA

Watch this item
Measurex 05329500 & 05329600 diagnostic break point 
Location: USA

Watch this item
HONEYWELL RM7800-G1018 USPP RM7800G1018
Location: USA

Watch this item
HONEYWELL STD-924-E1A-000​00-MB-ZS-1C NSPP STD924E1A0000
Location: USA

Watch this item
HONEYWELL 30735863-002 USPP 30735863002
Location: USA

Watch this item
HONEYWELL 9782P-01-VC-E00​00-BD USPP 9782P01VCE0000B​D
Location: USA

Watch this item
HONEYWELL R7248A1004 INFARED AMPLIFIER
Location: USA

​