140DDM39000 太原市施耐德 140DDM39000 返回列表页

140DDM39000 可靠性与良率

晶体管体积和能耗的大幅下降，虽然使噪声容限明显减小，但也对极深亚微米芯片的可靠性带来了影响。因此，为提高良率，改善运行的可靠性，需采用ECC和冗余技术。

由于今天SoC的位元数已十分庞大，因此，140DDM39000 嵌入式存储器便成为了决定SoC良率的zui重要因素。在提高存储器良率方面，由于可减少批量生产时间，控制测试与修复成本，因此专有测试与修复资源具有重要作用。采用一次可编程存储技术制造的存储器IP,在芯片制造完成后，发生存储信息失效时，其内置自修复功能便可对存储器阵列进行修复。理想情况下，为在生产测试过程中，快速进行修复编程，存储器编译器的修复功能需与硅片测试工具紧密集成。

对于设计师来说极其重要的是，可根据需要选择由晶圆代工企业制造位单元，或者进行自我设计。需进行定制设计时，与理解定制设计且可为各流程节点提供硅片数据的嵌入式存储器供应商进行合作，具有*的帮助作用。有了*的设计技术，即使不需要额外的掩膜和流程修正，亦可zui大限度地提高良率和可靠性。

140DDM39000 密度

140DDM39000 在存储器IP的选择上一个重要的考虑因素是，能否为各流程节点选择不同的存储器密度。*的存储器编译器允许设计师在密度与速度之间进行权衡，比如，是选择高密度（HD）位单元还是选择高电流位单元。

设计师还可借助灵活的列多路复用等功能，通过140DDM39000 控制存储器占用形状（可变宽度、可变高度，或正方形），优化SoC布局规划，进而zui大限度地减小存储器对芯片整体大小的影响。部分存储器编译器还支持sub-words（位和字节可写）、功率网格生成等功能，可zui大限度地优化功率输出。此外，灵活的端口分配（一个端口用于读或写，第二个端口用于读和写）亦可节省SRAM、CAM和寄存器文件的占用空间。

140DDM39000 两种嵌入式存储器IP架构的密度关系如图4所示。与6晶体管（6T）位单元相比，位容量一定时，单晶体管（1T）位单元zui多可减少50%的芯片空间。在设计中，对速度要求较低而密度要求较高时，1T式架构是较为理想的选择。由于可采用批量CMOS流程，省却了额外的掩膜环节，因而有益于成本压缩。在高速应用方面，设计师可采用6T甚至8T位单元来满足其速度要求。

图4:140DDM39000 存储器密度与不同嵌入式存储器IP架构的比例关系

MAC090C-0-FS-3-​C/110-A-2/S001 INDRAMAT

MAC090C-0-GD-4-​C/110-A-0/WI520​LV/S001 INDRAMAT

MAC90C-0-GD-4C/​110-A-0/WI553/S​01 INDRAMAT

MAC090C-0-GD-4-​C/110-A-0/WI553​/S01 INDRAMAT

MAC090C-0-KD-3-​C/110-A-0 INDRAMAT

MAC090C-0-KD-4-​C/110-A-2/WI522​LV/S013 INDRAMAT

MAC090C-0-GD-4-​C/110-A-0/WI524​LX INDRAMAT

MAC090C-0-GD-3-​C/110-R-0/WI520​LV/S005 INDRAMAT

MAC090C-0-GD-4-​C/110-A-1/WI520​L/S001 INDRAMAT

F78504-009LH-D0​10 MACHINE TUBE

1785-LTB ALLEN BRADLEY

A06B-6082-H211#​H510 FANUC SPINDLE AMPLIFIER

1785-L30B/E ALLEN BRADLEY

120-087-003 MODICON SERVO *1YRWRTY*

8500-B2D-L1B ALLEN BRADLEY AC SERVO MOTOR

A06B-6058-H228 FANUC SERVO AMPLIFIER **1YR WRTY**

HVR02.2-W010N INDRAMAT

1326AB-C4C-11-A​7 ALLEN BRADLEY 1 YR WARRANTY

MAC112C-0-ED-3-​C/130-A-0/S05 INDRAMAT