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ICS TRIPLEX T8480它具有低功耗、大容量、可整片或分扇区在系统编程(烧写)、擦除等特点,并且可由内部嵌入的算法完成对芯片的操作,因而在各种嵌入式系统中得到了广泛的应用。作为一种非易失性存储器。Flash在系统中通常用于存放程序代码、常量表以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。常用的Flash为8位或16位的数据宽度,编程电压为单3.3V。
与Flash存储器相比较,SDRAM不具有掉电保持数据的特性,但其存取速度大大高于Flash存储器,且具有读/写的属性,因此,SDRAM在系统中主要用作程序的运行空间、数据及堆栈区。当系统启动时,CPU首先从复位地址0x0处读取启动代码,在完成系统的初始化后,程序代码一般应调入SDRAM中运行,ICS TRIPLEX T8480以提高系统的运行速度,同时,系统及用户堆栈、运行数据也都放在SDRAM中。SDRAM的存储单元可以理解为一个电容,总是倾向于放电,为避免数据丢失,必须定时刷新(充电)。因此,要在系统中使用SDRAM,就要求微处理器具有刷新控制逻辑,或在系统中另外加入刷新控制逻辑电路,特别的情况是在系统失电后,要采取一种有效的机制确保将sDRAM中的数据写入F1ash中。
2、ICS TRIPLEX T8480基于掉电保护方案的硬件设计 图1是一种典型的嵌入式系统硬件设计方案。系统的微处理器采用ICS TRIPLEX T8480,是基于ARM7体系结构的。SDRAM是一种易失性存储器作为程序的运行空间,类似于PC机的内存;Flash作为程序存储空间是非易失性的。程序运行过程中的数据往往缓存在sDRAM中,在系统失电时必须写往Flash
这个电源回路除了可以提供5v和3.3v的电源以外,还为系统掉电保护提供了延时及预警功能,通过软件的配合可以实现系统的掉电保护机制。正常情况下,由供电回路1给整个系统供电。当系统由于意外原因掉电时,由于输入的比较电压降低,这样MAX809 模块输出电压产生翻转为系统提供掉电中断预警信号,中断请求通过外部中断引脚XREQ0产生;同时供电回路2开始启用。通过大电容C3、c4放电,继续为系统提供一段供电电压,支持掉电中断服务程序完成。供电回路2只给zui小系统供电,并不给耗电量大的外围部件供电。这样,给zui小系统的供电时间足够长,可以完成敏感数据的保护操作。 通过软件测算,电容放电可供zui小系统工作时间在0.5~4.5S之间。这种测算方法很简单.编写一个掉电中断服务子程序,这个程序只是不断进行时间刷新操作。同样,可以通过软件测定在这段时间里向Flash擦写2~3MB。可见,在采用这种硬件体制的情况下,系统掉电保护能够得到可靠的保证。
TOSHIBA 2N-3B2500-B USPP 2N3B2500B
TOSHIBA 2N3B2506-B1R0-6873 USPP 2N3B2506B1R06873
TOSHIBA EX2040-TCUB NSPP EX2040TCUB
TOSHIBA IK-541/LENS USPP IK541LENS
TOSHIBA MS311 USPP MS311
TOSHIBA MG600Q1US41 NSFP MG600Q1US41
TOSHIBA EX10-MAO32 USPP EX10MAO32
Toshiba Tosvert 130H2 Transistor Inverter Circuit Board
TOSHIBA MG100M2CK1
TOSHIBA EX25-MAC06264 NSFP EX25MAC06264
TOSHIBA PLC 6 SLOT BASE EX10*MPS51 EX10*MPU11A EX10UBA1
TOSHIBA MG15Q6ES50A FNFP MG15Q6ES50A
TOSHIBA MG75Q2YS51 FNFP MG75Q2YS51
TOSHIBA MG150H1FL1 FNFP MG150H1FL1
Toshiba VFS9-4007PL-WN Trasnsistor Inverter #8457
TOSHIBA EX20EB-EDRA1 USPP EX20EBEDRA1
TOSHIBA TODX82AT FNFP TODX82AT
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