测定射线

γ(X) 射线、中子射线

探测器

硅半导体

剂量当量范围

(Sv)    0μSv～ 999μSv   1.000mSv～ 999.9mSv   1.000Sv～ 9.999Sv

(rem)   0.0mrem ～ 999.9mrem   1.000rem ～ 999.9rem

显示误差     

γ(X) 射线　  ±10%(0.1mSv ～ 9.999Sv,137Cs)

 中子射线    ±15%(0.5mSv ～ 9.999Sv,252Cf)

能量范围

γ(X) 射线 50keV ～ 6MeV；中子射线 0.025eV ～15MeV

能量特性

γ(X)射线　±20%(50keV ～ 6MeV, 137Cs)

      中子射线　±50% (250keV ～ 4.5MeV, 241Am-Be)

方向特性

γ(X) 射线　±20%(0 ～±60?, 垂直和水平,137Cs)

　         ±50%(0 ～±60?, 垂直和水平, 241Am)

　         ±30%( 水平, 137Cs, 空气)

中子射线 　±30%(0 ～ ±75?, 垂直和水平,241Am-Be)

剂量率直线性

γ(X) 射线　±10%(0.1mSv/h ～ 9.999Sv/h,137Cs)

中子射线 　±20%(0.5mSv/h ～ 9.999Sv/h,252Cf)

响应时间

＜4秒

显示

LCD ( 带后灯)

报警音量及方式

声音85dB ～ 100dB，LED灯闪烁

报警值

可设定，包括剂量率和剂量

通讯方式

红外线通信

工作温度

- 20℃～＋ 50℃

工作湿度

35% ～ 95% 无结露

电    源

“CR123A” 电池1节

电池寿命

1年以上(1 天使用8小时)或者4个月以上( 连续使用时)

外形尺寸

60W x 78H x 27Dmm( 不包括夹子)

质   量

< 100g