首先说一下霍尔效应：霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。
其实上面对霍尔效应的介绍简要的表明了霍尔效应的原理，详细来说：在导体中，电子在电场作用下沿电流反方向运动，由于存在垂直于电流方向的磁场，电子受到洛伦兹力，产生偏转，偏转的方向垂直于电流方向和磁场方向，而导体中运动的是电子（正电荷只是相对于电子而运动），所以实际上只有电子运动并偏转，这样就产生了电势差，两面有电压。在半导体中，有两种载流子（空穴与自由电子），而它们的偏转方向是相同的，产生的电压也只是多数载流子与少数载流子之差，即表现了多数载流子的效果。正是因为这样，所以才能利用霍尔效应来判断N、P型半导体。
霍尔效应在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到了广泛的应用，比如测量磁场的高斯计。
