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变温霍尔测量系统由电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦,控温仪,系统软件。为本仪器系统专门研制的 JH10 效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必......
变温霍尔测量系统
产品概述:
本仪器系统由电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦,控温仪,系统软件。为本仪器系统专门研制的 JH10 效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性*的工具。 实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻)(Magnetoresistance)等
变温霍尔测量系统
技术指标:
磁 场:10mm 间距为 2T 30mm 间距为 1T
* 样品电流:0.05uA~50mA(调节 0.1nA)
* 测量电压:0.1uV~30V
* 提供各类测试标准材料,各级别硅与砷化镓(灵敏度与精度不同)
* *小分辨率:0.1GS
* 磁场范围:0-1T
* 配合高斯计或数采板可计算机通讯
* I-V 曲线及 I-R 曲线测量等
* 霍尔系数、载流子浓度等参数随温度的变化曲线
* 电阻率范围:10-7~1012 Ohm*cm
* 电阻范围:10 m Ohms~ 6MOhms
* 载流子浓度:103~1023cm-3
* 迁移率:0.1~108cm2/volt*sec
* 温度调节 0.1K
* 温区:77K-293K
* 测试全自动化,一键处理
* 可实现相同温差间的连续测量
变温霍尔测量系统
系统构成 :
低温霍尔效应测试系统由电磁铁、真空泵、低温真空腔、高斯计、恒流源、电磁铁电
流源、控温仪和计算机及软件组成。其中,电磁铁电流源给电磁铁提供电流产生磁场;高斯计测量线圈产生的均匀磁场值;恒流源一方面给样品提供电流,用于霍尔效应测试,一方面可以测量样品电压;被测样品置于低温真空腔中,由低温胶固定,并作为四个测试点;低温真空腔引出 4 根导线,两个连接控温仪进行温度的测量及控制,另 1 根是低温探头引线连接到高斯计上,还有 1 根是霍尔样片连接线接到恒流源上;计算机连接高斯计、控温仪、恒流源和电磁铁电流源,通过软件实现控制通过被测样品的电流和磁场值,并获取测得的电压值。
各系统参数:
控制软件的介绍:
JH60D是一键式测量操作系统,只需设置几个样品参数以及需要的温度,即可一键自动测量,无需一直看管。测量时只需要设置好样片通过的电流、样片所在磁场环境的磁场大小、样品厚度即可进行测量,如需控温,打开温度设置设定需要的温度,选择输出的功率即可进行控温,温度控制需要一小段时间(大概 1min),等温度稳定后,即可进行此温度下的各项参数的测量,数据可以绘图,可以导出至 EXCEL中以便后期处理及使用。
可测试材料: Ø
半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等
低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等
高阻抗材料:半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等
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