上海睿威信息科技有限公司
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用于半导体可靠性测试的试验机SIC（碳化硅）大功率装置2000V高压对应电压 ~2000V电流 ~75mA/单元搭载A/ｍA两个量程的限流电流切换可进行大功率装置SIC/高电压FET/IGBT等加载高电压试验、ＢＴ（偏压热应力）试验
用于半导体可靠性测试的试验机
SIC（碳化硅）大功率装置2000V高压对应
电压 ~2000V
电流 ~75mA/单元
搭载μA/ｍA两个量程的限流电流切换
可进行大功率装置SIC/高电压FET/IGBT等加载高电压试验、ＢＴ（偏压热应力）试验。
用于汽车、高铁等相关高压装置的评价。
电压可加载2000V，同时可测定16ＣＨ。
★试验、测试动作
试验中可选择栅极BT试验和漏极BT试验。
漏极BT系列的测试基于以下流程，按照参数设定的条件进行动作。
① 初期测试（Vg扫描试验）
② 加载偏压（栅极BT试验 或 漏极BT试验）
③ 中间测试（Vg1点试验）
④ 结束测试（Vg扫描试验）
测试CH数
16CH/单元(最多4个单元/64CH)
电源规格
向样品施加电压，请使用以下电源。每个单元用1个电源。
电压－电流
①栅极加载用±30V 30mA(单元内电源)
②漏极加载用高电压2kV 30mA(外部电源：松定精密HJPR-2P30-LGob)
③漏极加载用低电压+30V 30mA(单元内电源)
测试方法
在各样品的GND侧，插入万用表，用电流表测量。
数字万用表:凯利公司制造3706A＋多路复用器卡3720
①栅极BT １ｎA～10μA
②漏极BT试验 1μA～30mA
③Id测试 1μA～30mA
④Vg监控 -30V～+30V
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