光折变晶体钛酸钡单晶BaTiO3
钛酸钡（BaTiO3）单晶具有优异的光折变性能，具有高的自泵浦相位共轭反射率和二波混频（光放大）效率，在光信息存储方面有巨大的潜在应用前景；同时它也是重要的衬底基片材料。
拥有对BaTiO3单晶十余年的研发经验。为了扩展其光折变效应的工作波段，近年来先后开发出掺铈（Ce）、铑（Rh）等钛酸钡单晶以及多种规格的BaTiO3基片。其中Ce:BaTiO3获有美、中两国发明权。
主要技术指标:
| 晶体结构 | 四方Tetragona(4m):13°C<T<132°C a=3.99 ,c=4.04,(at 26°C) |
| 生长方法 | TSSG (Top Seeded Solution Growth) 顶部籽晶法 |
| 熔点 | 1612°C |
| 折射率 | | 515nm | 633nm | 800nm |
| no | 2.4912 | 2.4160 | 2.3681 |
| ne | 2.4247 | 2.3630 | 2.3235 |
| 透过波长范围 | 0.43-6.30 mm |
| 电光系数 | rT13=8±2pm/V ? rT33=105±10pm/V ? rT42=1300±100pm/V |
| 自泵浦相位共轭反射率 （0度切） | 50 - 70 % for l = 515nm(Ce: BaTiO3) 40 - 60 % (PureBaTiO3) for l = 515nm 50 - 80 % for l = 633nm(Ce: BaTiO3) 40 - 60 % for l = 633nm (PureBaTiO3) |
| 二波混频耦合系数 | 10-40 cm-1 |
| 吸收损失 | l: 515nm 633nm 800nm a: 0.285cm-1 0.108cm-1 0.033cm-1 |
| 光折变效应的工作波长 | Undoped BTO: for visible Ce:BTO :480-780nm Rh:BTO :for 720-1060nm |
尺寸规格：
光折变级 | 3x3x3 mm 2- 4 faces polished & poled 5x5x5 mm 2- 6 faces polished & poled 0°及45°切。 |
基片级 | Size : 5x5x1.0 mm,10x10x1.0 mm or others Polishing : 1 or 2 faces polished Poling : Substrates with
<100>，<110>，<111>orientations can not be poled；
<001>orientation substrate must be poled. |
