北京金时速仪器设备经营部
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LT-1B高频光电导少数载流子寿命测试仪
是参照半导体设备和材料组织SEMI标准MF1535-0707及国家标准GB/T 26068-2010设计制造。
LT-1B高频光电导少数载流子寿命测试仪
仪器采用GB/T1553-1997中硅单晶少数载流子寿命测定高频光电导衰减法，主要用于测量高阻长寿命单晶，现在已经在天津环欧半导体材料有限公司、*公司第四十六研究所、峨嵋半导体材料厂、国泰半导体材料有限公司等投入使用。
技术参数：
（1）测试单晶电阻率范围：ρ﹥3Ω•cm
（2）可测单晶少子寿命范围：5μs~10000μs
（3）红外光源配置： 波长1.06～1.09μm
（4）高频振荡源：用石英谐振器，振荡频率：30MHZ
（5）前置放大器，放大倍数约25，频宽2HZ-2MHZ
（6）可根据已知寿命样品调校测量寿命值，可调范围广
（7）仪器测量重复误差：﹤±25%
（8）测量方式：采用数字示波器直接读数方式
（9）仪器消耗功率：﹤50 W
（10）仪器工作条件：温度：10-35℃，湿度﹤65%
使用电源：AC 220V，50HZ（建议配置稳压电源）
（11）可测单晶尺寸：
断面竖测：直径25mm-150mm；厚度2mm-500mm
纵向卧测：直径5mm-20mm；长度50mm-800mm
LT-1B高频光电导少数载流子寿命测试仪
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